雙溪技術公司（Twin Creeks Technologies）是一家新創公司，一直在默默無聞地經營，今天，公司開發出一種方法，用以制作晶硅薄片，它說可以使硅太陽能電池的生(sheng)產成(cheng)本(ben)減少一半。公司在一所小工廠展(zhan)示了這項技術，這是一所每年25兆瓦的太(tai)陽能電池工廠，正在建(jian)設之中，就在密西西比(bi)州（Mississippi）的塞納陶比(bi)亞（Senatobia）。

　　柔性電源(yuan)：雙溪公(gong)司(si)20微米(mi)厚(hou)的金屬涂層硅(gui)片柔韌強大。

　　西(xi)哇?西(xi)哇拉姆（Siva Sivaram）是雙(shuang)溪公(gong)(gong)司(si)(si)首席執行官，他(ta)說，公(gong)(gong)司(si)(si)的技術既減少(shao)了(le)所(suo)需(xu)硅的數(shu)量，也減少(shao)了(le)生產設備的成本。他(ta)聲(sheng)稱(cheng)，公(gong)(gong)司(si)(si)生產太(tai)陽能電池(chi)，大約只需(xu)每瓦40美(mei)分，相比之下，現在最便宜的太(tai)陽能電池(chi)也需(xu)要(yao)約80美(mei)分。雙(shuang)溪公(gong)(gong)司(si)(si)已籌(chou)集到9300萬美(mei)元風險資本，再加上密西(xi)西(xi)比州(zhou)的貸(dai)款和其他(ta)來源(yuan)的資金，公(gong)(gong)司(si)(si)會用于建設它的太(tai)陽能工廠。

　　晶(jing)(jing)硅(gui)片占太(tai)(tai)陽(yang)能(neng)電池的大部分，傳(chuan)統方(fang)法制備晶(jing)(jing)硅(gui)片，需要切割塊狀或柱狀硅(gui)，形成200微米(mi)厚(hou)的晶(jing)(jing)圓(yuan)，這個(ge)工藝(yi)會(hui)把大約一半的硅(gui)變成廢(fei)棄物。業界(jie)使(shi)用(yong)200微米(mi)的晶(jing)(jing)圓(yuan)，因為晶(jing)(jing)圓(yuan)太(tai)(tai)薄，就很脆，往往會(hui)在生產線(xian)上碎裂。但在理論上，它(ta)們可以達(da)到20至(zhi)30微米(mi)薄，仍然會(hui)同(tong)樣有(you)效(xiao)(xiao)，甚至(zhi)會(hui)更有(you)效(xiao)(xiao)地把太(tai)(tai)陽(yang)光(guang)轉換成電能(neng)。

　　雙(shuang)溪(xi)公(gong)司的(de)(de)工藝可以(yi)制作(zuo)20微米厚的(de)(de)硅片，基本上沒有浪費(fei)(fei)。這(zhe)需要使(shi)用(yong)(yong)(yong)薄層金屬，使(shi)它們(men)足夠耐用(yong)(yong)(yong)，可以(yi)承(cheng)受傳統太(tai)陽能電池加(jia)工設(she)備。西(xi)哇(wa)拉姆說(shuo)(shuo)，因為大(da)大(da)減少了(le)線鋸及(ji)相關設(she)備的(de)(de)使(shi)用(yong)(yong)(yong)，而且(qie)制作(zuo)更薄的(de)(de)晶(jing)圓，所(suo)以(yi)，雙(shuang)溪(xi)公(gong)司所(suo)需的(de)(de)硅量減少了(le)90％，也大(da)大(da)降低(di)了(le)資(zi)本費(fei)(fei)用(yong)(yong)(yong)。他(ta)說(shuo)(shuo)，這(zhe)項(xiang)技術可以(yi)添加(jia)到(dao)現有的(de)(de)生(sheng)產(chan)線上。這(zhe)家公(gong)司的(de)(de)主(zhu)要計劃是(shi)出售生(sheng)產(chan)設(she)備，而不是(shi)生(sheng)產(chan)太(tai)陽能電池。“我預計，到(dao)明年這(zhe)個時候，我們(men)會有六到(dao)十二個這(zhe)樣的(de)(de)工具實(shi)地(di)使(shi)用(yong)(yong)(yong)，”他(ta)說(shuo)(shuo)。

　　加快太陽能發電(dian)：雙溪公司的(de)海曝離(li)3（Hyperion 3）是離(li)子加速器，用氫離(li)子轟擊(ji)硅(gui)(gui)板(ban)，產生(sheng)非常(chang)薄的(de)太陽能硅(gui)(gui)片，用于太陽能電(dian)池。硅(gui)(gui)板(ban)排列(lie)在所說結(jie)構的(de)外圍(wei)，離(li)子撞(zhuang)擊(ji)晶圓時，這些結(jie)構會旋轉。

　　這(zhe)(zhe)個工藝始于真空(kong)室，其(qi)中，高能氫離(li)(li)子束轟擊3毫(hao)米厚(hou)(hou)的(de)晶(jing)(jing)體硅(gui)(gui)盤。離(li)(li)子積累的(de)精(jing)確深度是20微(wei)米，這(zhe)(zhe)是由光束電壓控制的(de)。一旦積累了足(zu)夠的(de)離(li)(li)子，機械臂就會快(kuai)速(su)移(yi)去晶(jing)(jing)圓，然后放在爐子里，這(zhe)(zhe)樣(yang)，硅(gui)(gui)中的(de)離(li)(li)子就會形成微(wei)觀(guan)氫氣氣泡，這(zhe)(zhe)些氣泡會擴大，在硅(gui)(gui)晶(jing)(jing)片(pian)中形成微(wei)小裂縫(feng)，這(zhe)(zhe)就會使(shi)20微(wei)米厚(hou)(hou)的(de)硅(gui)(gui)層剝落(luo)下來。公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)把金屬襯板用于這(zhe)(zhe)樣(yang)的(de)薄層硅(gui)(gui)上。公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)使(shi)用的(de)這(zhe)(zhe)一專用工藝使(shi)它不同于另一家(jia)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)，就是阿(a)斯特羅(luo)瓦特公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)（Astrowatt），這(zhe)(zhe)家(jia)公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)制作的(de)晶(jing)(jing)圓同樣(yang)薄。但是，阿(a)斯特羅(luo)瓦特公(gong)(gong)(gong)(gong)司(si)(si)的(de)晶(jing)(jing)圓只(zhi)能略(lve)為(wei)彎(wan)曲，這(zhe)(zhe)就難(nan)以(yi)適用傳統的(de)生產設備。

　　雙溪公(gong)司的(de)(de)晶圓可兼容傳統的(de)(de)太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)生產設(she)備，而(er)且，也兼容現在使(shi)用(yong)的(de)(de)一些工(gong)藝(yi)，可制作先進的(de)(de)太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)設(she)計，如異質結構電(dian)(dian)池(chi)（heterojunction cells）。 西哇拉姆(mu)說，這(zhe)種(zhong)(zhong)氫離子工(gong)藝(yi)可以(yi)(yi)采(cai)用(yong)硅以(yi)(yi)外(wai)的(de)(de)單晶材料，包括砷化鎵（gallium arsenide），這(zhe)種(zhong)(zhong)半(ban)導體生產的(de)(de)太陽能(neng)電(dian)(dian)池(chi)，效(xiao)率(lv)打破(po)世(shi)界紀錄。

　　使用離子(zi)束制作晶(jing)硅薄晶(jing)圓(yuan)，以(yi)前(qian)也考慮過，但過于昂(ang)貴，難以(yi)成為一種(zhong)實用的(de)(de)(de)制造(zao)方法。它需要粒子(zi)加(jia)(jia)速(su)(su)器(qi)，產(chan)生的(de)(de)(de)離子(zi)束要有非(fei)常高的(de)(de)(de)電流和(he)非(fei)常高的(de)(de)(de)能(neng)量，“這樣的(de)(de)(de)東(dong)西過去是不(bu)存在(zai)的(de)(de)(de)，”西哇拉(la)姆(mu)說。他(ta)說，為了使這項技術可行，雙溪公司(si)開發出一種(zhong)離子(zi)加(jia)(jia)速(su)(su)器(qi)，比市面上的(de)(de)(de)任何(he)加(jia)(jia)速(su)(su)器(qi)都要“強10倍”。

　　雖(sui)然公(gong)司強調(diao)，這(zhe)項技術兼容現有的(de)(de)生產線(xian)，但是(shi)(shi)，它確實(shi)要(yao)求(qiu)，至(zhi)少要(yao)有一(yi)項改變。通(tong)常情況下，晶(jing)圓(yuan)經處理(li)，會形成(cheng)(cheng)粗糙的(de)(de)表(biao)面(mian)紋理(li)，這(zhe)有助于它們吸收光線(xian)，而不(bu)是(shi)(shi)反射光線(xian)。這(zhe)種(zhong)紋理(li)是(shi)(shi)由金字塔組成(cheng)(cheng)，高度相當于雙溪公(gong)司晶(jing)圓(yuan)的(de)(de)厚度，所以(yi)，與(yu)新晶(jing)片一(yi)起使用是(shi)(shi)不(bu)切實(shi)際的(de)(de)。