雙溪技術公司（Twin Creeks Technologies）是一家新創公司，一直在默默無聞地經營，今天，公司開發出一種方法，用以制作晶硅薄片，它說可以使硅太陽能電池的生(sheng)產成(cheng)本(ben)減少一(yi)半。公司在(zai)一(yi)所小(xiao)工(gong)(gong)廠(chang)展示(shi)了這項技術，這是一(yi)所每年25兆瓦的太陽(yang)能電池工(gong)(gong)廠(chang)，正在(zai)建設之(zhi)中，就(jiu)在(zai)密西西比(bi)州（Mississippi）的塞納陶比(bi)亞（Senatobia）。

　　柔(rou)性電源：雙溪公(gong)司20微(wei)米厚的金(jin)屬涂(tu)層硅(gui)片(pian)柔(rou)韌強大。

　　西哇(wa)?西哇(wa)拉姆（Siva Sivaram）是雙溪(xi)公(gong)司(si)首席執行官，他(ta)說，公(gong)司(si)的(de)技術既減少(shao)了所需硅的(de)數量，也(ye)減少(shao)了生(sheng)(sheng)產設備(bei)的(de)成本。他(ta)聲稱，公(gong)司(si)生(sheng)(sheng)產太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電池(chi)，大約(yue)只需每瓦40美分(fen)，相比之(zhi)下，現在最便宜的(de)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)電池(chi)也(ye)需要約(yue)80美分(fen)。雙溪(xi)公(gong)司(si)已籌集到9300萬美元風險資(zi)本，再(zai)加上密西西比州(zhou)的(de)貸款和其(qi)他(ta)來源的(de)資(zi)金，公(gong)司(si)會用于(yu)建設它的(de)太(tai)陽(yang)(yang)能(neng)工(gong)廠(chang)。

　　晶(jing)硅片占(zhan)太陽能(neng)電池的(de)大部分，傳統方法制備(bei)晶(jing)硅片，需要(yao)切割塊狀或柱(zhu)狀硅，形成(cheng)200微(wei)米厚(hou)的(de)晶(jing)圓，這個(ge)工(gong)藝會把大約一半(ban)的(de)硅變成(cheng)廢(fei)棄物。業界使用200微(wei)米的(de)晶(jing)圓，因為晶(jing)圓太薄(bo)，就很脆(cui)，往往會在生(sheng)產線上(shang)碎裂。但在理論上(shang)，它們可以達到20至(zhi)30微(wei)米薄(bo)，仍然會同樣有效(xiao)，甚至(zhi)會更有效(xiao)地把太陽光轉換成(cheng)電能(neng)。

　　雙溪公(gong)司(si)的(de)工藝可(ke)以制作20微米(mi)厚(hou)的(de)硅片，基本(ben)上(shang)沒有浪費。這(zhe)需要(yao)使(shi)用(yong)薄(bo)層金屬，使(shi)它們足夠耐(nai)用(yong)，可(ke)以承(cheng)受傳統太陽能電池加(jia)工設(she)備(bei)。西哇拉(la)姆(mu)說，因為大(da)大(da)減少了(le)(le)線鋸及相(xiang)關設(she)備(bei)的(de)使(shi)用(yong)，而且制作更薄(bo)的(de)晶圓，所以，雙溪公(gong)司(si)所需的(de)硅量減少了(le)(le)90％，也大(da)大(da)降低了(le)(le)資本(ben)費用(yong)。他說，這(zhe)項技術可(ke)以添加(jia)到現有的(de)生產(chan)線上(shang)。這(zhe)家公(gong)司(si)的(de)主要(yao)計劃是出售生產(chan)設(she)備(bei)，而不是生產(chan)太陽能電池。“我(wo)預計，到明年這(zhe)個(ge)時(shi)候(hou)，我(wo)們會(hui)有六到十(shi)二個(ge)這(zhe)樣的(de)工具實地使(shi)用(yong)，”他說。

　　加快太陽(yang)能(neng)(neng)發電：雙溪公(gong)司(si)的(de)海(hai)曝離3（Hyperion 3）是(shi)離子(zi)加速器，用氫離子(zi)轟擊硅板，產生非常薄的(de)太陽(yang)能(neng)(neng)硅片，用于太陽(yang)能(neng)(neng)電池。硅板排(pai)列在所說結(jie)構的(de)外圍，離子(zi)撞擊晶圓時，這些結(jie)構會旋轉。

　　這個工(gong)藝始于真空(kong)室(shi)，其中，高能(neng)氫(qing)離子(zi)(zi)束轟擊3毫米(mi)厚的(de)晶(jing)體硅(gui)盤。離子(zi)(zi)積(ji)累的(de)精確深(shen)度是(shi)(shi)20微(wei)米(mi)，這是(shi)(shi)由光(guang)束電壓控制的(de)。一旦積(ji)累了足夠的(de)離子(zi)(zi)，機械臂(bei)就會快速移去晶(jing)圓，然后放(fang)在(zai)爐子(zi)(zi)里，這樣(yang)，硅(gui)中的(de)離子(zi)(zi)就會形成微(wei)觀(guan)氫(qing)氣氣泡(pao)，這些氣泡(pao)會擴大，在(zai)硅(gui)晶(jing)片中形成微(wei)小裂縫(feng)，這就會使20微(wei)米(mi)厚的(de)硅(gui)層剝(bo)落(luo)下來。公(gong)司把金屬襯板用(yong)(yong)于這樣(yang)的(de)薄層硅(gui)上。公(gong)司使用(yong)(yong)的(de)這一專用(yong)(yong)工(gong)藝使它不(bu)同(tong)于另一家(jia)公(gong)司，就是(shi)(shi)阿(a)斯特(te)羅(luo)瓦特(te)公(gong)司（Astrowatt），這家(jia)公(gong)司制作的(de)晶(jing)圓同(tong)樣(yang)薄。但是(shi)(shi)，阿(a)斯特(te)羅(luo)瓦特(te)公(gong)司的(de)晶(jing)圓只能(neng)略為彎曲，這就難(nan)以適用(yong)(yong)傳(chuan)統的(de)生(sheng)產設備(bei)。

　　雙溪公司(si)的(de)晶(jing)圓可兼(jian)容傳統的(de)太(tai)(tai)陽(yang)能電池(chi)生(sheng)產設(she)備，而且，也兼(jian)容現在使用的(de)一些工(gong)藝，可制(zhi)作先進(jin)的(de)太(tai)(tai)陽(yang)能電池(chi)設(she)計，如異質結構電池(chi)（heterojunction cells）。 西(xi)哇(wa)拉(la)姆(mu)說，這(zhe)種(zhong)氫離(li)子工(gong)藝可以采(cai)用硅以外的(de)單晶(jing)材(cai)料，包括砷化鎵（gallium arsenide），這(zhe)種(zhong)半導體(ti)生(sheng)產的(de)太(tai)(tai)陽(yang)能電池(chi)，效(xiao)率打破(po)世界紀錄(lu)。

　　使(shi)用(yong)離(li)(li)子(zi)(zi)束制(zhi)作晶硅薄晶圓，以前(qian)也考(kao)慮過，但過于昂貴，難以成為一種(zhong)實用(yong)的(de)制(zhi)造方(fang)法。它需(xu)要(yao)粒子(zi)(zi)加(jia)(jia)速器(qi)，產生(sheng)的(de)離(li)(li)子(zi)(zi)束要(yao)有(you)非(fei)常(chang)高的(de)電流和非(fei)常(chang)高的(de)能量，“這(zhe)樣的(de)東(dong)西(xi)過去是(shi)不存在的(de)，”西(xi)哇拉姆(mu)說。他說，為了使(shi)這(zhe)項技術(shu)可行，雙(shuang)溪公司開發出一種(zhong)離(li)(li)子(zi)(zi)加(jia)(jia)速器(qi)，比市面上的(de)任何(he)加(jia)(jia)速器(qi)都(dou)要(yao)“強10倍”。

　　雖然公司強調，這項技術兼容現(xian)有的(de)生產線(xian)，但是，它(ta)確實要求(qiu)，至少(shao)要有一項改變(bian)。通常(chang)情況下(xia)，晶圓(yuan)經(jing)處理(li)，會形成(cheng)粗(cu)糙的(de)表面紋理(li)，這有助于(yu)它(ta)們吸(xi)收光線(xian)，而不(bu)是反射光線(xian)。這種(zhong)紋理(li)是由(you)金字塔組(zu)成(cheng)，高度(du)相當于(yu)雙溪公司晶圓(yuan)的(de)厚度(du)，所以，與新晶片一起使(shi)用是不(bu)切實際(ji)的(de)。