雙溪技術公司（Twin Creeks Technologies）是一家新創公司，一直在默默無聞地經營，今天，公司開發出一種方法，用以制作晶硅薄片，它說可以使硅太陽能電池的生產成本減少一半。公司在一所小工(gong)廠(chang)展示了這(zhe)項技術，這(zhe)是一所每(mei)年25兆瓦(wa)的太陽能電池工(gong)廠(chang)，正在建設之中，就在密(mi)西西比(bi)州（Mississippi）的塞(sai)納陶(tao)比(bi)亞（Senatobia）。

　　柔性電源：雙溪公(gong)司20微(wei)米厚(hou)的金屬涂層硅片柔韌強大(da)。

　　西(xi)哇?西(xi)哇拉姆（Siva Sivaram）是雙溪公司首(shou)席執行官，他說(shuo)，公司的(de)(de)技術(shu)既減少(shao)了(le)所需硅的(de)(de)數量，也減少(shao)了(le)生產設備的(de)(de)成(cheng)本。他聲稱，公司生產太(tai)陽能(neng)電池(chi)，大約只需每瓦40美(mei)分，相比之下(xia)，現在最便(bian)宜的(de)(de)太(tai)陽能(neng)電池(chi)也需要約80美(mei)分。雙溪公司已籌集到9300萬(wan)美(mei)元風險資本，再加上密西(xi)西(xi)比州(zhou)的(de)(de)貸(dai)款和(he)其他來源的(de)(de)資金，公司會用(yong)于建設它的(de)(de)太(tai)陽能(neng)工廠。

　　晶(jing)(jing)硅(gui)片占(zhan)太陽能電池的大(da)部(bu)分，傳(chuan)統(tong)方法制(zhi)備(bei)晶(jing)(jing)硅(gui)片，需要切割塊狀(zhuang)或柱狀(zhuang)硅(gui)，形成(cheng)200微(wei)米(mi)厚的晶(jing)(jing)圓，這個(ge)工(gong)藝會把大(da)約一半的硅(gui)變成(cheng)廢棄物。業(ye)界使用200微(wei)米(mi)的晶(jing)(jing)圓，因為晶(jing)(jing)圓太薄(bo)，就(jiu)很脆，往往會在(zai)生(sheng)產線(xian)上碎裂。但在(zai)理論上，它們可以達到20至30微(wei)米(mi)薄(bo)，仍然會同(tong)樣有效(xiao)，甚至會更有效(xiao)地(di)把太陽光轉(zhuan)換(huan)成(cheng)電能。

　　雙溪公(gong)司的(de)(de)工藝可(ke)以制作20微米厚的(de)(de)硅片，基本上(shang)沒有(you)浪(lang)費。這(zhe)(zhe)需(xu)要使用(yong)薄層金(jin)屬，使它(ta)們足夠耐(nai)用(yong)，可(ke)以承受傳統太(tai)陽能電(dian)池加工設備。西哇拉姆說(shuo)(shuo)，因為(wei)大(da)(da)大(da)(da)減少了(le)線(xian)鋸及相關設備的(de)(de)使用(yong)，而且制作更薄的(de)(de)晶圓，所(suo)以，雙溪公(gong)司所(suo)需(xu)的(de)(de)硅量減少了(le)90％，也大(da)(da)大(da)(da)降低(di)了(le)資本費用(yong)。他(ta)說(shuo)(shuo)，這(zhe)(zhe)項技(ji)術可(ke)以添(tian)加到現有(you)的(de)(de)生(sheng)產(chan)線(xian)上(shang)。這(zhe)(zhe)家公(gong)司的(de)(de)主(zhu)要計劃是出售生(sheng)產(chan)設備，而不是生(sheng)產(chan)太(tai)陽能電(dian)池。“我預計，到明年這(zhe)(zhe)個(ge)(ge)時候，我們會有(you)六到十二(er)個(ge)(ge)這(zhe)(zhe)樣的(de)(de)工具實地使用(yong)，”他(ta)說(shuo)(shuo)。

　　加快(kuai)太陽(yang)能(neng)發電：雙溪公司的海(hai)曝離(li)3（Hyperion 3）是離(li)子加速器，用(yong)氫離(li)子轟擊硅板(ban)，產生非(fei)常(chang)薄的太陽(yang)能(neng)硅片，用(yong)于(yu)太陽(yang)能(neng)電池。硅板(ban)排列在所說結構的外圍，離(li)子撞擊晶圓時，這些結構會(hui)旋轉。

　　這(zhe)個工藝始(shi)于(yu)(yu)真(zhen)空室，其中(zhong)，高能氫(qing)離子(zi)束(shu)轟擊3毫米厚(hou)的晶體(ti)硅(gui)盤。離子(zi)積累(lei)的精確深度是20微米，這(zhe)是由光束(shu)電壓控制(zhi)的。一(yi)旦積累(lei)了(le)足夠(gou)的離子(zi)，機械臂就會(hui)快速移去晶圓，然后放在(zai)爐子(zi)里，這(zhe)樣，硅(gui)中(zhong)的離子(zi)就會(hui)形成微觀氫(qing)氣氣泡(pao)，這(zhe)些氣泡(pao)會(hui)擴(kuo)大，在(zai)硅(gui)晶片中(zhong)形成微小裂縫(feng)，這(zhe)就會(hui)使(shi)20微米厚(hou)的硅(gui)層剝落下(xia)來(lai)。公(gong)司(si)(si)把金屬襯板用(yong)于(yu)(yu)這(zhe)樣的薄層硅(gui)上(shang)。公(gong)司(si)(si)使(shi)用(yong)的這(zhe)一(yi)專用(yong)工藝使(shi)它(ta)不同于(yu)(yu)另一(yi)家公(gong)司(si)(si)，就是阿斯(si)特(te)(te)羅瓦特(te)(te)公(gong)司(si)(si)（Astrowatt），這(zhe)家公(gong)司(si)(si)制(zhi)作(zuo)的晶圓同樣薄。但是，阿斯(si)特(te)(te)羅瓦特(te)(te)公(gong)司(si)(si)的晶圓只能略為彎曲，這(zhe)就難以適用(yong)傳統(tong)的生(sheng)產設備。

　　雙溪公司的(de)晶圓可兼容傳統的(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)生(sheng)產(chan)設備(bei)，而且(qie)，也兼容現在使用(yong)(yong)的(de)一(yi)些工藝(yi)，可制作(zuo)先進的(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)設計(ji)，如(ru)異質(zhi)結構電(dian)(dian)池(chi)（heterojunction cells）。 西(xi)哇拉姆(mu)說，這(zhe)種氫離子工藝(yi)可以采用(yong)(yong)硅以外(wai)的(de)單晶材料，包括(kuo)砷化鎵（gallium arsenide），這(zhe)種半導體生(sheng)產(chan)的(de)太(tai)陽(yang)能電(dian)(dian)池(chi)，效率打破世界紀錄。

　　使(shi)用離(li)子(zi)束制作(zuo)晶硅薄晶圓，以(yi)前(qian)也考慮過(guo)，但(dan)過(guo)于昂貴，難(nan)以(yi)成為一(yi)種實用的(de)(de)制造方法。它需要(yao)粒子(zi)加速(su)器，產生的(de)(de)離(li)子(zi)束要(yao)有非常高(gao)的(de)(de)電流和非常高(gao)的(de)(de)能(neng)量，“這(zhe)樣的(de)(de)東西過(guo)去(qu)是不存在的(de)(de)，”西哇拉姆說(shuo)。他說(shuo)，為了使(shi)這(zhe)項技術可行，雙溪(xi)公司(si)開(kai)發出一(yi)種離(li)子(zi)加速(su)器，比市面上的(de)(de)任何加速(su)器都(dou)要(yao)“強10倍(bei)”。

　　雖然公司強調，這(zhe)(zhe)項(xiang)技術兼容現有的(de)生產線，但是(shi)(shi)，它確(que)實要(yao)求，至(zhi)少要(yao)有一(yi)項(xiang)改變。通常情(qing)況下，晶圓經處理(li)，會形(xing)成粗(cu)糙的(de)表面紋理(li)，這(zhe)(zhe)有助于它們吸收光(guang)線，而不是(shi)(shi)反射(she)光(guang)線。這(zhe)(zhe)種紋理(li)是(shi)(shi)由(you)金(jin)字塔(ta)組成，高度(du)相當(dang)于雙溪公司晶圓的(de)厚度(du)，所以，與新晶片一(yi)起使用是(shi)(shi)不切實際的(de)。