雙溪技術公司（Twin Creeks Technologies）是一家新創公司，一直在默默無聞地經營，今天，公司開發出一種方法，用以制作晶硅薄片，它說可以使硅太陽能電池的(de)生產(chan)成本減少一半(ban)。公司在(zai)一所小工廠(chang)展示了這(zhe)項技術(shu)，這(zhe)是一所每年25兆瓦的(de)太(tai)陽能(neng)電(dian)池(chi)工廠(chang)，正在(zai)建(jian)設之中，就在(zai)密西(xi)西(xi)比州（Mississippi）的(de)塞納陶比亞（Senatobia）。

　　柔(rou)(rou)性電(dian)源(yuan)：雙溪公司(si)20微米厚的金屬涂(tu)層硅片柔(rou)(rou)韌(ren)強大。

　　西(xi)(xi)哇?西(xi)(xi)哇拉姆（Siva Sivaram）是雙溪(xi)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)首席(xi)執行官，他說，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)的技術既(ji)減少了所需(xu)硅的數量，也減少了生(sheng)產設備的成本(ben)。他聲(sheng)稱，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)生(sheng)產太陽能電(dian)池，大(da)約只需(xu)每(mei)瓦40美分，相(xiang)比之下，現在(zai)最便宜的太陽能電(dian)池也需(xu)要(yao)約80美分。雙溪(xi)公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)已(yi)籌集到9300萬美元風險資本(ben)，再加上(shang)密(mi)西(xi)(xi)西(xi)(xi)比州的貸款和其(qi)他來源(yuan)的資金(jin)，公(gong)(gong)司(si)(si)(si)(si)會用于建設它的太陽能工廠。

　　晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)占太陽能電池的(de)大部分，傳統方法制備晶(jing)硅(gui)(gui)(gui)片(pian)，需(xu)要切割塊狀(zhuang)(zhuang)或柱狀(zhuang)(zhuang)硅(gui)(gui)(gui)，形成(cheng)200微米(mi)厚的(de)晶(jing)圓，這個工(gong)藝(yi)會(hui)(hui)把(ba)大約一半的(de)硅(gui)(gui)(gui)變成(cheng)廢(fei)棄(qi)物(wu)。業界使用200微米(mi)的(de)晶(jing)圓，因為晶(jing)圓太薄，就很(hen)脆(cui)，往往會(hui)(hui)在生產線上(shang)碎裂。但(dan)在理論(lun)上(shang)，它們(men)可以達(da)到20至30微米(mi)薄，仍然(ran)會(hui)(hui)同樣有(you)效，甚至會(hui)(hui)更(geng)有(you)效地把(ba)太陽光轉(zhuan)換成(cheng)電能。

　　雙溪公(gong)司的(de)(de)(de)(de)工(gong)藝可以制作20微(wei)米厚(hou)的(de)(de)(de)(de)硅(gui)片(pian)，基本上沒有浪費。這(zhe)需(xu)要使用(yong)薄層金屬，使它(ta)們足夠耐(nai)用(yong)，可以承受傳統太陽能電池(chi)加工(gong)設備。西(xi)哇拉姆(mu)說，因為大(da)大(da)減(jian)少(shao)了(le)線鋸(ju)及(ji)相關設備的(de)(de)(de)(de)使用(yong)，而且(qie)制作更薄的(de)(de)(de)(de)晶圓，所以，雙溪公(gong)司所需(xu)的(de)(de)(de)(de)硅(gui)量(liang)減(jian)少(shao)了(le)90％，也大(da)大(da)降低了(le)資(zi)本費用(yong)。他(ta)(ta)說，這(zhe)項技術可以添加到現有的(de)(de)(de)(de)生產(chan)線上。這(zhe)家公(gong)司的(de)(de)(de)(de)主要計(ji)劃是出售生產(chan)設備，而不是生產(chan)太陽能電池(chi)。“我(wo)預計(ji)，到明年這(zhe)個(ge)時候，我(wo)們會有六到十(shi)二(er)個(ge)這(zhe)樣(yang)的(de)(de)(de)(de)工(gong)具實地使用(yong)，”他(ta)(ta)說。

　　加快太(tai)陽能發電(dian)：雙溪公司(si)的海曝離3（Hyperion 3）是離子(zi)加速器，用氫離子(zi)轟(hong)擊硅(gui)板(ban)(ban)，產生(sheng)非常薄的太(tai)陽能硅(gui)片(pian)，用于(yu)太(tai)陽能電(dian)池(chi)。硅(gui)板(ban)(ban)排列在(zai)所說結構(gou)的外圍，離子(zi)撞(zhuang)擊晶圓時，這些結構(gou)會旋轉。

　　這個工藝始(shi)于真(zhen)空室(shi)，其中，高能(neng)氫(qing)離(li)(li)(li)子(zi)束轟擊3毫米厚(hou)的(de)(de)晶(jing)體硅(gui)盤。離(li)(li)(li)子(zi)積累的(de)(de)精確深度是20微米，這是由光束電壓(ya)控制的(de)(de)。一(yi)旦積累了足(zu)夠的(de)(de)離(li)(li)(li)子(zi)，機械(xie)臂就會快速移(yi)去(qu)晶(jing)圓，然后放在爐子(zi)里，這樣(yang)(yang)，硅(gui)中的(de)(de)離(li)(li)(li)子(zi)就會形成(cheng)微觀氫(qing)氣(qi)氣(qi)泡(pao)，這些氣(qi)泡(pao)會擴大(da)，在硅(gui)晶(jing)片中形成(cheng)微小裂縫，這就會使(shi)20微米厚(hou)的(de)(de)硅(gui)層剝落下來。公司(si)(si)把金屬襯板用于這樣(yang)(yang)的(de)(de)薄(bo)層硅(gui)上。公司(si)(si)使(shi)用的(de)(de)這一(yi)專用工藝使(shi)它不同(tong)(tong)于另一(yi)家(jia)公司(si)(si)，就是阿(a)(a)斯(si)特(te)(te)羅瓦(wa)特(te)(te)公司(si)(si)（Astrowatt），這家(jia)公司(si)(si)制作的(de)(de)晶(jing)圓同(tong)(tong)樣(yang)(yang)薄(bo)。但是，阿(a)(a)斯(si)特(te)(te)羅瓦(wa)特(te)(te)公司(si)(si)的(de)(de)晶(jing)圓只能(neng)略為彎曲，這就難以適用傳統的(de)(de)生(sheng)產(chan)設備。

　　雙(shuang)溪公司的(de)(de)晶(jing)圓可兼容傳統的(de)(de)太(tai)陽(yang)能電池生產(chan)設(she)備(bei)，而(er)且(qie)，也(ye)兼容現在使用的(de)(de)一(yi)些(xie)工藝，可制作先進的(de)(de)太(tai)陽(yang)能電池設(she)計，如異質結構(gou)電池（heterojunction cells）。 西哇拉姆說，這種(zhong)(zhong)氫(qing)離(li)子(zi)工藝可以采用硅以外(wai)的(de)(de)單晶(jing)材料，包括砷化鎵（gallium arsenide），這種(zhong)(zhong)半(ban)導體生產(chan)的(de)(de)太(tai)陽(yang)能電池，效率打破世界(jie)紀錄。

　　使用離(li)(li)子束制作晶硅薄晶圓，以前也(ye)考慮過，但過于昂貴，難以成(cheng)為(wei)(wei)一種實(shi)用的(de)(de)制造方(fang)法。它需(xu)要(yao)粒(li)子加速器(qi)，產生(sheng)的(de)(de)離(li)(li)子束要(yao)有(you)非常(chang)高的(de)(de)電流和非常(chang)高的(de)(de)能量，“這(zhe)樣的(de)(de)東西過去是不(bu)存在的(de)(de)，”西哇拉姆說。他說，為(wei)(wei)了使這(zhe)項技術可行，雙溪(xi)公司(si)開發出一種離(li)(li)子加速器(qi)，比市(shi)面上的(de)(de)任何(he)加速器(qi)都(dou)要(yao)“強10倍(bei)”。

　　雖(sui)然(ran)公(gong)司強(qiang)調，這項(xiang)技術兼容現(xian)有(you)的(de)生產線，但是(shi)(shi)，它(ta)確實要(yao)求，至少要(yao)有(you)一(yi)項(xiang)改(gai)變。通常情況(kuang)下，晶圓經(jing)處理，會形成(cheng)粗糙的(de)表(biao)面(mian)紋理，這有(you)助于它(ta)們(men)吸收光線，而(er)不是(shi)(shi)反射光線。這種(zhong)紋理是(shi)(shi)由金字(zi)塔(ta)組成(cheng)，高(gao)度相當(dang)于雙溪公(gong)司晶圓的(de)厚度，所以，與新(xin)晶片一(yi)起(qi)使(shi)用是(shi)(shi)不切實際的(de)。