近期，美國西(xi)北大學的(de)(de)研究(jiu)團隊表(biao)示(shi)，已經(jing)找到(dao)了突破目前鋰離子(zi)電(dian)(dian)(dian)池(chi)充電(dian)(dian)(dian)量和(he)充電(dian)(dian)(dian)速度(du)限制(zhi)的(de)(de)方法。該新方法不僅讓充電(dian)(dian)(dian)量增加了十(shi)倍，充電(dian)(dian)(dian)時(shi)間也只需原來的(de)(de)十(shi)分之一。據悉，該項研究(jiu)成果對手機、Pad、PC等(deng)許多電(dian)(dian)(dian)子(zi)產品影響(xiang)深(shen)遠，尤(you)其可以解決智能(neng)手機電(dian)(dian)(dian)池(chi)續(xu)航(hang)能(neng)力不足的(de)(de)軟(ruan)肋(lei)，為最(zui)終用戶提供更多便捷。相(xiang)關(guan)科(ke)學家表(biao)示(shi)，這項技術有(you)望(wang)在三到(dao)五年內在市場(chang)量售。

引領電池技術發展方(fang)向

美國西北大學教授Harold Kung與他的研究團隊指出，在充電效率方面，該技術的關鍵在于鋰離子在石墨烯層間的流動狀態離子在其中的流動速度直接影響到充電器速(su)度(du)(du)的(de)(de)快(kuai)慢。而為了加速(su)流動速(su)度(du)(du)，該團(tuan)隊(dui)研究出(chu)改變(bian)石墨烯排列，使其(qi)成為數百(bai)萬個只有10nm~20nm大(da)小的(de)(de)蜂(feng)槽型柱(zhu)狀(zhuang)體，制造出(chu)更適合鋰離子流動的(de)(de)“快(kuai)速(su)快(kuai)捷方(fang)式”。也因為如此，該團(tuan)隊(dui)實現將原來電(dian)池充電(dian)時間縮短到1/10的(de)(de)成績。

在充(chong)電(dian)(dian)容量方面，該團隊(dui)研究將小群的(de)(de)硅(gui)（Silicon）置入(ru)石墨(mo)烯層之(zhi)間(jian)，達成(cheng)提升電(dian)(dian)池內部(bu)鋰離子的(de)(de)密度的(de)(de)效果。歸功于(yu)石墨(mo)烯所提供高延展特(te)性，這(zhe)樣的(de)(de)技術突(tu)破也使(shi)聚集在電(dian)(dian)極附(fu)近鋰離子更多，也因(yin)此使(shi)因(yin)為硅(gui)膨脹所造成(cheng)的(de)(de)老問題獲(huo)得解決。如此一來(lai)，這(zhe)顆使(shi)用新(xin)技術的(de)(de)電(dian)(dian)池在完全充(chong)滿電(dian)(dian)之(zhi)后(hou)，使(shi)用時間(jian)將可(ke)整(zheng)整(zheng)維持一周。“如今(jin)我們即(ji)將在雙方面都(dou)得到最佳表現。”Kung表示(shi)，因(yin)為硅(gui)技術的(de)(de)進(jin)步，業(ye)界獲(huo)得更高的(de)(de)蓄電(dian)(dian)密度，甚至就算硅(gui)團簇（Silicon Clusters）分離也不會造成(cheng)硅(gui)的(de)(de)消失。

新技術仍需完善

不(bu)過此技術(shu)仍有(you)(you)尚待改進之處(chu)新電(dian)池(chi)會在充電(dian)150次后(hou)，效率急劇下滑。但Kung也指出增加電(dian)池(chi)的(de)充電(dian)保持(chi)(chi)（Charge Retention）能(neng)力將(jiang)足以彌補這樣的(de)缺點，“即(ji)使仍維持(chi)(chi)150次的(de)充電(dian)次數(shu)表(biao)現(xian)，但壽命也可(ke)達一年或更久，更別說電(dian)池(chi)在此之后(hou)仍擁有(you)(you)現(xian)有(you)(you)鋰電(dian)池(chi)的(de)五倍效率”。

另據(ju)悉(xi)，雖然該(gai)技(ji)術被(bei)認為是(shi)電(dian)池技(ji)術領域的開創(chuang)性重大突破，已將蓄電(dian)密度提(ti)高到了理(li)論極限值的八(ba)成左右(you)，在工程上(shang)算是(shi)完美了，但目前該(gai)項目還(huan)需要大筆(bi)投資來量產。