下面給大家介紹一種控制吸收電容充放電的電路圖。、
 （a）原理電路；（b）實用電路控制吸收電容充放電的電路圖　
  來自PWM集成控制器的脈沖使其通／斷工作。為使VF2的通／斷時間與VF1相反，增設雙向延時電路S1。現假設VF1為截止狀態，VF2為導通狀態，吸收電容Cr充電到VF1的漏極－源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪涌電壓。在由延時電路確定的延時時間后VF2截止，但這時，Cr兩端電壓等于加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關器件斷開方式。　　
   二次側二極管VD2的電流降為零，變壓器無勵磁能量。此時一次主繞組N1感應的回掃電壓變為零，以高于C1上電壓進行充電的吸收電容C1對一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經VF2的寄生二極管（虛線所示）流通。Cr放電開始時，VF2必須截止。由于Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產生諧振。
　　若VF2為導通狀態，諧振繼續衰減振蕩，但VF2截止狀態時，電容Cr兩端電壓為零時振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續產生較短周期的諧振。VF1再度導通時，軔小電容放電電流流經VF1本身而消耗掉。VF1導通時，其小容量電容充電的電壓隨導通時間而改變，但Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會增大。　　
    一般的(de)(de)M0S－FET寄生二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)恢復特性不(bu)適宜高頻，因此(ci)，增(zeng)設低耗二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)作(zuo)為電(dian)容放(fang)電(dian)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)，為使放(fang)電(dian)電(dian)流(liu)(liu)全(quan)部流(liu)(liu)經(jing)二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)VD1，在VF2回路中(zhong)增(zeng)加了逆(ni)阻斷二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)VD2．逆(ni)阻斷二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)VD2的(de)(de)耐(nai)壓(ya)大于(yu)(yu)VD1的(de)(de)正(zheng)向(xiang)壓(ya)降即可，因此(ci)，選用肖特基二(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)(guan)（SBD）。另外，雙向(xiang)延時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)元(yuan)件宜采用可飽(bao)和電(dian)抗器，延時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)元(yuan)件和YF2的(de)(de)輸入電(dian)容共同決定(ding)延時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)，需要較長延時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)，可在柵極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)增(zeng)接電(dian)容。輸出電(dian)流(liu)(liu)一減小，VF1的(de)(de)導(dao)通時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)就(jiu)變短。這導(dao)通時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)若(ruo)短于(yu)(yu)延時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)，則VF1截止后，VF2導(dao)通，因此(ci)，VF1漏極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)－源極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)間(jian)電(dian)壓(ya)UDS的(de)(de)波形偏離正(zheng)常波形，功耗也稍(shao)增(zeng)大。為降低最(zui)小輸出電(dian)流(liu)(liu)，延時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)時(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)(shi)間(jian)要非常短，這樣(yang)，就(jiu)不(bu)能充分有效利用電(dian)容Cr。這里，作(zuo)為大致目標，最(zui)小輸出電(dian)流(liu)(liu)設定(ding)為最(zui)大輸出電(dian)流(liu)(liu)的(de)(de)2％～3％。