電源管理半導體開始復蘇
據IHS iSuppli公(gong)司的電源(yuan)管(guan)理(li)市(shi)場追蹤報告,繼2011年(nian)第四(si)季度慘跌之后,電源(yuan)管(guan)理(li)半導體在2012年(nian)初有所回升,并(bing)在第二季度終于走上明顯增長之路,主(zhu)要(yao)是(shi)受消費與工業領域(yu)的擴張(zhang)推動。
第二(er)季(ji)度電源管理半導體營(ying)業(ye)收(shou)入(ru)將達到(dao)80億美元(yuan)(yuan),比第一季(ji)度的75億美元(yuan)(yuan)增(zeng)長6.7%。這是該產(chan)業(ye)營(ying)業(ye)收(shou)入(ru)在(zai)去年(nian)底急劇(ju)下(xia)(xia)降(jiang)以(yi)來,首次有(you)明顯的增(zeng)長跡象。在(zai)2011年(nian)第四季(ji)度營(ying)業(ye)收(shou)入(ru)環下(xia)(xia)降(jiang)10.7%以(yi)前,該市場曾經連續(xu)七個季(ji)度增(zeng)長。
但(dan)是,去(qu)年第(di)四季(ji)度過后,該(gai)市場趨于穩定,今年初營業(ye)(ye)收入(ru)持平,沒有進一步下(xia)(xia)滑。預計第(di)二(er)季(ji)度營業(ye)(ye)收入(ru)增長(chang),而且下(xia)(xia)半年有望保持這(zhe)種(zhong)勢頭(tou)。
總體來(lai)看,2012年(nian)(nian)電源管(guan)理半導體營業收入將達到328億美(mei)元,比去年(nian)(nian)的(de)(de)319億美(mei)元小增2.8%。盡管(guan)與(yu)2009和2010年(nian)(nian)的(de)(de)強勁增長相(xiang)比,今年(nian)(nian)的(de)(de)機會較少(shao),但全年(nian)(nian)營業收入至少(shao)不會低于去年(nian)(nian)。
電源管理市(shi)場(chang)每年(nian)(nian)第四季(ji)(ji)度(du)通常(chang)下滑(hua),這是(shi)正常(chang)的(de)(de)季(ji)(ji)節性趨勢(shi)。但是(shi),去年(nian)(nian)第四季(ji)(ji)度(du)的(de)(de)降幅突(tu)顯該(gai)市(shi)場(chang)非常(chang)疲弱(ruo)。電源管理半導體的(de)(de)作用越來(lai)越重(zhong)(zhong)要,被用于多種電子(zi)產品之中,可以幫助產品散熱、減輕重(zhong)(zhong)量和縮小尺寸。
有幾(ji)個情況導(dao)致去(qu)年第四季度市場下(xia)滑,包括(kuo)日本3月地震和海嘯導(dao)致一些(xie)廠(chang)商的生產中(zhong)斷(duan),以及泰國(guo)10月發(fa)生嚴(yan)重(zhong)洪(hong)災。全球消(xiao)費(fei)者支出放緩,許多政(zheng)府(fu)項目收縮,也(ye)導(dao)致情況進(jin)一步惡(e)化。結果去(qu)年底幾(ji)乎(hu)所有電源管(guan)理半導(dao)體市場的增長速(su)度都下(xia)降(jiang)。
但有跡象顯示,該市場正在恢復元氣。雖然因2011年底環比大幅下降,今年第一季度增長微弱,但第二季度和未來消費需求增強,將推動電源管理產業增長。在向來比較強勁另一個領域,電源管理(li)半導體也將繼(ji)續增長,即工(gong)業電(dian)子和風能、太(tai)陽能及地熱等替代能源市場。
在消費領域(yu),領先(xian)的電源管理產(chan)品將是(shi)絕緣柵(zha)雙極晶(jing)體管(IGBT)模組(zu),它在許(xu)多(duo)現代電器中用于開(kai)關電源。在消費領域(yu),電源管理集成電路將是(shi)推動其(qi)增長的最重要產(chan)品。
長期前景看好
預(yu)測顯示,未來五年(nian)電源管(guan)理(li)半導體(ti)營業收(shou)入將增(zeng)長(chang)6.6%,總體(ti)增(zeng)長(chang)前景(jing)良好。
在(zai)預測期內,電源管理半導(dao)體(ti)在(zai)蘋果iPad等媒體(ti)平板(ban)領域的增長將最為強勁,2011-2016年的復(fu)合(he)年度增長率預計高達30.7%。
未(wei)來五年(nian)將推動電源管理產(chan)業增長的其它市場包括:數字機(ji)頂盒,復合年(nian)度(du)增長率(CAGR)預(yu)計(ji)(ji)(ji)為(wei)15.3%;大樓與住宅控制,CAGR預(yu)計(ji)(ji)(ji)為(wei)13.3%;企業語音網絡,CAGR預(yu)計(ji)(ji)(ji)為(wei)13.1%;手機(ji),CAGR預(yu)計(ji)(ji)(ji)為(wei)12.3%;移動基礎設施,CAGR預(yu)計(ji)(ji)(ji)為(wei)11.8%;網絡交換機(ji),預(yu)計(ji)(ji)(ji)為(wei)10.0%。
與(yu)在工業市(shi)(shi)場一樣,IGBT模組是(shi)(shi)上述(shu)各市(shi)(shi)場的(de)主要增(zeng)長(chang)領域,其次是(shi)(shi)低壓及高壓MOSFET。驅動IGBT模組增(zeng)長(chang)的(de)主要動力是(shi)(shi)汽車與(yu)工業領域的(de)替代能源(yuan)市(shi)(shi)場,比如汽車安全與(yu)控制(zhi)和能源(yuan)生(sheng)產。