在BUCK型開關電源中，如果沒有損耗，那效率就是100%，但這是不可能的，BUCK型開關電源中主要的損耗是導通損耗和交流開關損耗，導通損耗主要是指MOS管導通后的損耗和肖特基二極管導通的損耗（是指完全導通后的損耗，因為導通不是瞬間導通，有個從線性區到非線性區的過程），在MOS管導通時，由于存在導通電阻，那么流過電流就必然存在導通損耗，而肖特基導通損耗是指在MOS管關閉期間，由于電感的電流不能突變加上電感反沖現象，會產生與MOS管導通時的相反電壓方向，從而使肖特基導通，流過的電流會在肖特基上產生損耗。由于MOS管在導通的時候，流過其的電流不是瞬間達到最大，此時電流有個從零逐漸上升到最大的過程，此時MOS管漏源（DS）之間的電壓也是從Vdc逐漸下降到零，MOS管關閉的時候也存在此情況，只是與打開的時候過程相反，那么在這逐漸的過程中就會產生損耗，這就是交流開關損耗，交流開關損耗包括MOS管打開和關閉損耗，交流開關損耗與開關的頻率成正比，因為一開一關的次數越多，損耗自然就大了。
     在忽略交流開關損耗的情況下，假設輸入電壓Vdc,輸出電壓為Vo,MOS管導通時間為Ton,關閉時間為Toff,整個周期為T，即T=Ton+Toff。在MOS管導通期間流過的平均電流為Io,由于電感電流不能突變，那么在MOS管關閉期間流過肖特基的平均電流也為Io，在MOS管和肖特基導通期間產生的壓差基本為1V，那么導通損耗=P(mos管)+P(肖特基)=1*Io*Ton/T+1*Io*Toff/T=1*Io。那么此時的效率E=Po/(Po+Plosse)=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Io)=Vo/Vo+1。
   在考慮交流開關損耗的時候，基本交流開關損耗可以分兩種情況來考慮，第一種情況是MOS管導通期間，電流開始上升的時候電壓同時開始下降，MOS管關閉期間電流開始下降的時候電壓同時上升，此種情況也是最理想的情況（一般實際情況很難達到），那么在此情況下，交流開關損耗=整個開關周期的導通損耗+整個開關周期的關斷損耗=（時間從0到Ton,流過電流和電壓剩積的積分）*(Ton/T)+（時間從0到Toff,流過電流和電壓剩積的積分）*(Toff/T)=Io*Vdc/6*(Ton/T)+Io*Vdc/6*(Toff/T)。
     設Ton=Toff=Ts(理論上MOS管打開瞬間電流從0上升到最大與MOS管關斷瞬間從最大下降到0的時間是一樣)，所以交流開關損耗Pac=Io*Vdc*Ts/3T。則此時的效率E=Po/（Po+DClosse+AClosse）=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(Io*Vdc*Ts/3T)=Vo/(Vo+1+Vdc*Ts/T) 上面是在考慮交流開關損耗的理想情況下的效率，那么第二種情況就是在最差的情況下，即MOS管導通時，電流從0達到最大后，電壓才開始下降，而不是同時，MOS管關閉時，電壓上升到最大后，電流才開始從0開始下降，一般這種情況更接近真實情況，那么此種情況下，交流開關損耗=整個開關周期的導通損耗+整個開關周期的關斷損耗=Io*Vdc*Ts/T+Io*Vdc*Ts/T=2*Io*Vdc*Ts/T。所以此時效率E=Po/（Po+DClosse+AClosse）=(Vo*Io)/(Vo*Io)+(1*Vo)+(2*Io*Vdc*Ts/T)=Vo/(Vo+1+2*Vdc*Ts/T)。
     以上的(de)效(xiao)(xiao)率計(ji)算(suan)是在沒有(you)考慮(lv)肖特基的(de)反(fan)向(xiang)恢(hui)復(fu)時間的(de)情(qing)況下，實際的(de)效(xiao)(xiao)率可能還會比(bi)以上計(ji)算(suan)的(de)低(di)，反(fan)向(xiang)恢(hui)復(fu)時間是指二(er)極(ji)管(guan)從承(cheng)受反(fan)向(xiang)電壓的(de)瞬間到完全停止(zhi)(zhi)流(liu)過(guo)反(fan)向(xiang)漏電流(liu)所(suo)經歷的(de)時間，因為二(er)極(ji)管(guan)在反(fan)向(xiang)截(jie)止(zhi)(zhi)時不可能瞬間截(jie)止(zhi)(zhi)，也是有(you)一個過(guo)程的(de)。應該(gai)使(shi)用反(fan)向(xiang)恢(hui)復(fu)時間在35ns~50ns的(de)超快(kuai)恢(hui)復(fu)二(er)極(ji)管(guan)作(zuo)為續流(liu)二(er)極(ji)管(guan)，該(gai)損(sun)耗與開關頻率成(cheng)正比(bi)。