DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負載，但產品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
　　一、啟動電路損耗
　　一般的(de)啟動電(dian)路(lu)都是(shi)R+C啟動，如(ru)圖1左，啟動電(dian)路(lu)中的(de)電(dian)阻會有一定損(sun)(sun)耗，這個損(sun)(sun)耗看(kan)起來不大，但在待機的(de)時候，還是(shi)占有一定的(de)比重。那該如(ru)何減小此損(sun)(sun)耗呢？再兼容產品(pin)啟動和短(duan)路(lu)能力的(de)同時，R取值(zhi)越大損(sun)(sun)耗越小。還有一種(zhong)方法是(shi)產品(pin)啟動后(hou)，讓R不工作，損(sun)(sun)耗自然(ran)會變小，如(ru)圖1右所示(shi)把(ba)啟動電(dian)路(lu)改進，損(sun)(sun)耗就會變小。

　　二、變壓器的損耗
　　變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會小；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設計變壓器的時候，選擇適當的線徑及匝數即可。
　　三、IC損耗
　　IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
　　四、開關管損耗
　　輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現的是開關損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
　　整流管(guan)D1損(sun)(sun)(sun)耗(hao)包括開(kai)關損(sun)(sun)(sun)耗(hao)，反向恢(hui)(hui)復(fu)損(sun)(sun)(sun)耗(hao)，導通損(sun)(sun)(sun)耗(hao)。整流管(guan)選型時，選擇低(di)導通壓降和反向恢(hui)(hui)復(fu)時間(jian)短(duan)的二極管(guan)，可以降低(di)損(sun)(sun)(sun)耗(hao)。

　　五、吸收電路的損耗
　　開關MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
　　輸出整流管上的RC吸收電(dian)路(lu)如圖2所示，降(jiang)低RC吸收的損(sun)耗，在(zai)電(dian)路(lu)允許(xu)的情況(kuang)下，減(jian)小電(dian)容C12容值(zhi)，減(jian)小電(dian)阻R6阻值(zhi)可以(yi)降(jiang)低損(sun)耗。

　　六、假負載電阻損耗
　　大部(bu)分的(de)(de)模塊電(dian)源產品都會(hui)在輸出端(duan)加一(yi)個假(jia)負(fu)載(zai)(zai)(zai)，用來保證模塊在空載(zai)(zai)(zai)或是很輕的(de)(de)負(fu)載(zai)(zai)(zai)情況下產品的(de)(de)穩(wen)定性，這個假(jia)負(fu)載(zai)(zai)(zai)會(hui)帶來損(sun)耗。在確保模塊性能穩(wen)定的(de)(de)情況下，假(jia)負(fu)載(zai)(zai)(zai)電(dian)阻選擇(ze)越(yue)大損(sun)耗越(yue)小。當電(dian)路(lu)不(bu)(bu)需要接假(jia)負(fu)載(zai)(zai)(zai)也能夠穩(wen)定的(de)(de)工(gong)作，可以選擇(ze)不(bu)(bu)加假(jia)負(fu)載(zai)(zai)(zai)，這樣(yang)假(jia)負(fu)載(zai)(zai)(zai)的(de)(de)損(sun)耗就不(bu)(bu)存在了。