DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負載，但產品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
　　一、啟動電路損耗
　　一般的(de)(de)啟(qi)動(dong)電路(lu)(lu)都(dou)是R+C啟(qi)動(dong)，如(ru)(ru)圖(tu)1左，啟(qi)動(dong)電路(lu)(lu)中的(de)(de)電阻會有(you)一定(ding)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)，這個損(sun)耗(hao)(hao)(hao)看起(qi)來不大(da)(da)，但在待機的(de)(de)時候(hou)，還(huan)是占有(you)一定(ding)的(de)(de)比重。那該如(ru)(ru)何減(jian)小(xiao)(xiao)此損(sun)耗(hao)(hao)(hao)呢？再兼容產品啟(qi)動(dong)和短路(lu)(lu)能力的(de)(de)同時，R取值越大(da)(da)損(sun)耗(hao)(hao)(hao)越小(xiao)(xiao)。還(huan)有(you)一種方(fang)法(fa)是產品啟(qi)動(dong)后(hou)，讓R不工作，損(sun)耗(hao)(hao)(hao)自然會變小(xiao)(xiao)，如(ru)(ru)圖(tu)1右所示把(ba)啟(qi)動(dong)電路(lu)(lu)改進，損(sun)耗(hao)(hao)(hao)就會變小(xiao)(xiao)。

　　二、變壓器的損耗
　　變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會小；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設計變壓器的時候，選擇適當的線徑及匝數即可。
　　三、IC損耗
　　IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
　　四、開關管損耗
　　輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現的是開關損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
　　整流管(guan)D1損(sun)耗包(bao)括開關損(sun)耗，反(fan)(fan)向(xiang)恢(hui)復(fu)損(sun)耗，導通損(sun)耗。整流管(guan)選型(xing)時，選擇低導通壓降(jiang)(jiang)和(he)反(fan)(fan)向(xiang)恢(hui)復(fu)時間短的二極管(guan)，可以降(jiang)(jiang)低損(sun)耗。

　　五、吸收電路的損耗
　　開關MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
　　輸出整流(liu)管上的RC吸收(shou)電路如(ru)圖(tu)2所示，降低RC吸收(shou)的損耗，在電路允許的情況下(xia)，減小電容(rong)C12容(rong)值，減小電阻R6阻值可以降低損耗。

　　六、假負載電阻損耗
　　大(da)部分的模塊電源產品都會(hui)在(zai)輸(shu)出端加一個假負載(zai)(zai)，用來(lai)保證模塊在(zai)空載(zai)(zai)或是很輕的負載(zai)(zai)情況下(xia)產品的穩定性，這(zhe)個假負載(zai)(zai)會(hui)帶(dai)來(lai)損耗(hao)。在(zai)確保模塊性能穩定的情況下(xia)，假負載(zai)(zai)電阻選擇(ze)越大(da)損耗(hao)越小。當電路不需要接假負載(zai)(zai)也能夠穩定的工作(zuo)，可以選擇(ze)不加假負載(zai)(zai)，這(zhe)樣假負載(zai)(zai)的損耗(hao)就不存在(zai)了。