DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負載，但產品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
　　一、啟動電路損耗
　　一(yi)般的啟(qi)(qi)(qi)動(dong)電路都是R+C啟(qi)(qi)(qi)動(dong)，如圖1左，啟(qi)(qi)(qi)動(dong)電路中的電阻會(hui)有(you)一(yi)定(ding)損(sun)(sun)耗(hao)，這個損(sun)(sun)耗(hao)看起來不大，但在待機的時候，還是占有(you)一(yi)定(ding)的比(bi)重。那該如何減小此損(sun)(sun)耗(hao)呢？再(zai)兼容(rong)產品啟(qi)(qi)(qi)動(dong)和(he)短路能(neng)力的同時，R取值越大損(sun)(sun)耗(hao)越小。還有(you)一(yi)種方法是產品啟(qi)(qi)(qi)動(dong)后，讓(rang)R不工作，損(sun)(sun)耗(hao)自然會(hui)變小，如圖1右所示把(ba)啟(qi)(qi)(qi)動(dong)電路改(gai)進(jin)，損(sun)(sun)耗(hao)就(jiu)會(hui)變小。

　　二、變壓器的損耗
　　變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會小；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設計變壓器的時候，選擇適當的線徑及匝數即可。
　　三、IC損耗
　　IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
　　四、開關管損耗
　　輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現的是開關損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
　　整(zheng)流管D1損(sun)耗包括(kuo)開(kai)關損(sun)耗，反(fan)向(xiang)恢復損(sun)耗，導通損(sun)耗。整(zheng)流管選(xuan)型時，選(xuan)擇低導通壓降和反(fan)向(xiang)恢復時間短的二(er)極管，可以降低損(sun)耗。

　　五、吸收電路的損耗
　　開關MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
　　輸出整流(liu)管(guan)上的RC吸收電(dian)路(lu)如圖2所示，降(jiang)低RC吸收的損耗，在電(dian)路(lu)允許的情況下，減小電(dian)容(rong)C12容(rong)值，減小電(dian)阻(zu)R6阻(zu)值可以(yi)降(jiang)低損耗。

　　六、假負載電阻損耗
　　大(da)部分的(de)模塊(kuai)(kuai)電(dian)源產品(pin)都會(hui)在輸出(chu)端加一個假(jia)(jia)(jia)負(fu)載(zai)，用(yong)來保證模塊(kuai)(kuai)在空載(zai)或(huo)是很輕的(de)負(fu)載(zai)情(qing)況下(xia)產品(pin)的(de)穩(wen)(wen)(wen)定性，這個假(jia)(jia)(jia)負(fu)載(zai)會(hui)帶來損耗。在確保模塊(kuai)(kuai)性能(neng)穩(wen)(wen)(wen)定的(de)情(qing)況下(xia)，假(jia)(jia)(jia)負(fu)載(zai)電(dian)阻選擇越大(da)損耗越小(xiao)。當電(dian)路不(bu)需要接假(jia)(jia)(jia)負(fu)載(zai)也能(neng)夠(gou)穩(wen)(wen)(wen)定的(de)工作，可(ke)以選擇不(bu)加假(jia)(jia)(jia)負(fu)載(zai)，這樣假(jia)(jia)(jia)負(fu)載(zai)的(de)損耗就(jiu)不(bu)存在了。