DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負載，但產品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
　　一、啟動電路損耗
　　一(yi)(yi)般的(de)啟(qi)動電(dian)路都是R+C啟(qi)動，如(ru)圖1左，啟(qi)動電(dian)路中的(de)電(dian)阻會有(you)一(yi)(yi)定(ding)(ding)損耗(hao)，這個損耗(hao)看起來不(bu)大，但(dan)在待機的(de)時候，還是占有(you)一(yi)(yi)定(ding)(ding)的(de)比重。那(nei)該(gai)如(ru)何減(jian)小(xiao)此(ci)損耗(hao)呢？再(zai)兼容產(chan)品啟(qi)動和(he)短路能力(li)的(de)同(tong)時，R取值越大損耗(hao)越小(xiao)。還有(you)一(yi)(yi)種方法是產(chan)品啟(qi)動后，讓R不(bu)工(gong)作，損耗(hao)自(zi)然會變(bian)小(xiao)，如(ru)圖1右(you)所示(shi)把啟(qi)動電(dian)路改進，損耗(hao)就會變(bian)小(xiao)。

　　二、變壓器的損耗
　　變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會小；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設計變壓器的時候，選擇適當的線徑及匝數即可。
　　三、IC損耗
　　IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
　　四、開關管損耗
　　輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現的是開關損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
　　整流管D1損耗包括開關損耗，反向恢(hui)復損耗，導通損耗。整流管選(xuan)型時，選(xuan)擇低導通壓降和反向恢(hui)復時間短的二(er)極管，可以降低損耗。

　　五、吸收電路的損耗
　　開關MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
　　輸出整流管上的RC吸收電路如圖(tu)2所示，降(jiang)低(di)RC吸收的損耗(hao)，在電路允許(xu)的情(qing)況(kuang)下(xia)，減(jian)小(xiao)(xiao)電容C12容值，減(jian)小(xiao)(xiao)電阻R6阻值可以降(jiang)低(di)損耗(hao)。

　　六、假負載電阻損耗
　　大部分的(de)模塊電(dian)源產品(pin)都(dou)會(hui)在輸(shu)出端加一個(ge)假(jia)負(fu)載，用(yong)來(lai)保證模塊在空載或是很輕的(de)負(fu)載情(qing)況(kuang)下產品(pin)的(de)穩(wen)(wen)定性(xing)(xing)，這(zhe)個(ge)假(jia)負(fu)載會(hui)帶來(lai)損(sun)耗(hao)。在確保模塊性(xing)(xing)能穩(wen)(wen)定的(de)情(qing)況(kuang)下，假(jia)負(fu)載電(dian)阻選(xuan)擇越(yue)大損(sun)耗(hao)越(yue)小。當電(dian)路(lu)不(bu)(bu)需要(yao)接(jie)假(jia)負(fu)載也(ye)能夠穩(wen)(wen)定的(de)工作，可(ke)以選(xuan)擇不(bu)(bu)加假(jia)負(fu)載，這(zhe)樣假(jia)負(fu)載的(de)損(sun)耗(hao)就(jiu)不(bu)(bu)存(cun)在了。