DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負載，但產品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
　　一、啟動電路損耗
　　一(yi)般(ban)的啟動(dong)(dong)電(dian)(dian)路(lu)都是(shi)R+C啟動(dong)(dong)，如(ru)圖(tu)(tu)1左(zuo)，啟動(dong)(dong)電(dian)(dian)路(lu)中的電(dian)(dian)阻(zu)會有一(yi)定損(sun)耗(hao)(hao)，這(zhe)個(ge)損(sun)耗(hao)(hao)看(kan)起來不大(da)，但在待機的時候，還是(shi)占有一(yi)定的比重(zhong)。那該如(ru)何減小此損(sun)耗(hao)(hao)呢？再兼容產(chan)(chan)品啟動(dong)(dong)和短路(lu)能(neng)力的同時，R取值越大(da)損(sun)耗(hao)(hao)越小。還有一(yi)種方法是(shi)產(chan)(chan)品啟動(dong)(dong)后，讓R不工作(zuo)，損(sun)耗(hao)(hao)自然(ran)會變小，如(ru)圖(tu)(tu)1右所示把啟動(dong)(dong)電(dian)(dian)路(lu)改進(jin)，損(sun)耗(hao)(hao)就會變小。

　　二、變壓器的損耗
　　變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會小；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設計變壓器的時候，選擇適當的線徑及匝數即可。
　　三、IC損耗
　　IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
　　四、開關管損耗
　　輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現的是開關損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
　　整(zheng)流(liu)管D1損(sun)耗包(bao)括開關損(sun)耗，反向恢復(fu)損(sun)耗，導通損(sun)耗。整(zheng)流(liu)管選型(xing)時，選擇低(di)導通壓降和反向恢復(fu)時間短的(de)二(er)極管，可以降低(di)損(sun)耗。

　　五、吸收電路的損耗
　　開關MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
　　輸出整(zheng)流管上的RC吸收(shou)電(dian)路如圖(tu)2所(suo)示(shi)，降(jiang)低RC吸收(shou)的損耗，在電(dian)路允(yun)許的情況下，減小(xiao)電(dian)容C12容值，減小(xiao)電(dian)阻R6阻值可以降(jiang)低損耗。

　　六、假負載電阻損耗
　　大(da)部分(fen)的(de)(de)模塊(kuai)電源產品都會在(zai)輸出端(duan)加一個(ge)假(jia)負載，用來保證模塊(kuai)在(zai)空載或(huo)是很輕的(de)(de)負載情(qing)況(kuang)(kuang)下產品的(de)(de)穩定(ding)性，這個(ge)假(jia)負載會帶來損耗。在(zai)確保模塊(kuai)性能穩定(ding)的(de)(de)情(qing)況(kuang)(kuang)下，假(jia)負載電阻選擇越大(da)損耗越小。當電路不需要接(jie)假(jia)負載也能夠穩定(ding)的(de)(de)工作(zuo)，可以選擇不加假(jia)負載，這樣假(jia)負載的(de)(de)損耗就不存在(zai)了。