DC-DC電源模塊待機的時候，輸出端無負載，但產品又存在待機損耗，這些損耗都耗在了哪里，又該如何去減小這些損耗呢？
　　一、啟動電路損耗
　　一(yi)般的(de)啟(qi)(qi)動(dong)電路(lu)都是(shi)R+C啟(qi)(qi)動(dong)，如(ru)圖(tu)1左，啟(qi)(qi)動(dong)電路(lu)中的(de)電阻會(hui)有一(yi)定損(sun)耗(hao)，這(zhe)個(ge)損(sun)耗(hao)看起來不大，但在待機的(de)時候，還(huan)(huan)是(shi)占有一(yi)定的(de)比重(zhong)。那該如(ru)何減(jian)小(xiao)此損(sun)耗(hao)呢？再兼容產(chan)品(pin)(pin)啟(qi)(qi)動(dong)和短(duan)路(lu)能力(li)的(de)同時，R取(qu)值越大損(sun)耗(hao)越小(xiao)。還(huan)(huan)有一(yi)種方法是(shi)產(chan)品(pin)(pin)啟(qi)(qi)動(dong)后(hou)，讓R不工作，損(sun)耗(hao)自然會(hui)變(bian)小(xiao)，如(ru)圖(tu)1右(you)所示把(ba)啟(qi)(qi)動(dong)電路(lu)改進，損(sun)耗(hao)就會(hui)變(bian)小(xiao)。

　　二、變壓器的損耗
　　變壓器的損耗包括鐵損和銅損，變壓器的鐵損受工作頻率和感值的影響，頻率低損耗小，感值高損耗小，所以設計變壓器的時候，要兼顧工作頻率和感量值，在一個比較合適的值，損耗就會小；待機的時候變壓器銅損是很小的，對整體的損耗影響甚微，設計變壓器的時候，選擇適當的線徑及匝數即可。
　　三、IC損耗
　　IC都會有一個工作電流，使IC能夠正常工作，這個損耗是無法避免的，在IC選型的時候盡量選擇工作電流小的。
　　四、開關管損耗
　　輸入端的MOS管Q1在待機的時候，主要體現的是開關損耗，所以需要降低待機時MOS管的損耗，待機的工作頻率就要降低。芯片選型的時候，選擇芯片工作在輕載和空載情況下會跳頻(即降低空載和輕載的工作頻率)，MOS管要選用低柵荷的，從而降低損耗。
　　整(zheng)流管D1損耗(hao)包括開關損耗(hao)，反(fan)向(xiang)恢復損耗(hao)，導(dao)通損耗(hao)。整(zheng)流管選(xuan)型時，選(xuan)擇低(di)導(dao)通壓降和反(fan)向(xiang)恢復時間短的二極管，可(ke)以降低(di)損耗(hao)。

　　五、吸收電路的損耗
　　開關MOS管DS極之間通常會加一個小電容如圖2左，用來吸收管子上的電壓尖峰，MOS管上的這個吸收電容C5會損耗能量，在確保管子應力有足夠余量的情況下，吸收電容容值越小，損耗越小。
　　輸(shu)出整流管上的(de)RC吸收(shou)電路如圖2所(suo)示，降(jiang)低(di)RC吸收(shou)的(de)損耗，在電路允許的(de)情況下，減小電容(rong)C12容(rong)值(zhi)，減小電阻R6阻值(zhi)可以降(jiang)低(di)損耗。

　　六、假負載電阻損耗
　　大部分的(de)模塊電源產品(pin)都(dou)會在輸出端加(jia)一個假(jia)負(fu)載(zai)，用來保(bao)證(zheng)模塊在空載(zai)或是很輕(qing)的(de)負(fu)載(zai)情況下產品(pin)的(de)穩(wen)(wen)定(ding)(ding)性，這個假(jia)負(fu)載(zai)會帶(dai)來損耗。在確保(bao)模塊性能(neng)(neng)穩(wen)(wen)定(ding)(ding)的(de)情況下，假(jia)負(fu)載(zai)電阻選(xuan)擇(ze)越(yue)(yue)大損耗越(yue)(yue)小(xiao)。當電路不需(xu)要接假(jia)負(fu)載(zai)也能(neng)(neng)夠(gou)穩(wen)(wen)定(ding)(ding)的(de)工作，可以選(xuan)擇(ze)不加(jia)假(jia)負(fu)載(zai)，這樣假(jia)負(fu)載(zai)的(de)損耗就不存在了。