充電電路的控制吸收電容充放電電路圖
下面給大家介紹一種控制吸收電容充放電的電路圖。
（a）原理電路；
（b）實用電路控制吸收電容充放電的電路圖
來自PWM集成控制器的脈沖使其通／斷工作。為使VF2的通／斷時間與VF1相反，增設雙向延時電路S1。現假設VF1為截止狀態，VF2為導通狀態，吸收電容Cr充電到VF1的漏極－源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪涌電壓。在由延時電路確定的延時時間后VF2截止，但這時，Cr兩端電壓等于加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關器件斷開方式。
二次側二極管VD2的電流降為零，變壓器無勵磁能量。此時一次主繞組N1感應的回掃電壓變為零，以高于C1上電壓進行充電的吸收電容C1對一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經VF2的寄生二極管（虛線所示）流通。Cr放電開始時，VF2必須截止。由于Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產生諧振。
若VF2為導通狀態，諧振繼續衰減振蕩，但VF2截止狀態時，電容Cr兩端電壓為零時振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續產生較短周期的諧振。VF1再度導通時，軔小電容放電電流流經VF1本身而消耗掉。VF1導通時，其小容量電容充電的電壓隨導通時間而改變，但Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會增大。
一(yi)(yi)般的(de)M0S－FET寄生二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)恢復特(te)性不適宜高(gao)頻，因此(ci)，增(zeng)設低耗二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)作(zuo)為電(dian)(dian)容放電(dian)(dian)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)，為使放電(dian)(dian)電(dian)(dian)流(liu)全部流(liu)經二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)VD1，在(zai)VF2回路中(zhong)增(zeng)加了逆阻(zu)斷二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)VD2．逆阻(zu)斷二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)VD2的(de)耐壓大于(yu)VD1的(de)正向壓降即可，因此(ci)，選(xuan)用肖特(te)基二(er)(er)(er)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)管(guan)(guan)（SBD）。另外，雙向延(yan)時(shi)元件(jian)宜采用可飽和(he)電(dian)(dian)抗器(qi)，延(yan)時(shi)元件(jian)和(he)YF2的(de)輸(shu)(shu)(shu)入電(dian)(dian)容共(gong)同決定延(yan)時(shi)時(shi)間(jian)(jian)，需(xu)要較長(chang)延(yan)時(shi)時(shi)間(jian)(jian)時(shi)，可在(zai)柵(zha)極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)增(zeng)接電(dian)(dian)容。輸(shu)(shu)(shu)出電(dian)(dian)流(liu)一(yi)(yi)減小，VF1的(de)導(dao)通(tong)時(shi)間(jian)(jian)就(jiu)變短。這導(dao)通(tong)時(shi)間(jian)(jian)若短于(yu)延(yan)時(shi)時(shi)間(jian)(jian)，則VF1截止后，VF2導(dao)通(tong)，因此(ci)，VF1漏極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)－源極(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)間(jian)(jian)電(dian)(dian)壓UDS的(de)波(bo)形偏離正常波(bo)形，功耗也稍增(zeng)大。為降低最(zui)小輸(shu)(shu)(shu)出電(dian)(dian)流(liu)，延(yan)時(shi)時(shi)間(jian)(jian)要非(fei)常短，這樣，就(jiu)不能(neng)充分(fen)有效利用電(dian)(dian)容Cr。這里，作(zuo)為大致目標，最(zui)小輸(shu)(shu)(shu)出電(dian)(dian)流(liu)設定為最(zui)大輸(shu)(shu)(shu)出電(dian)(dian)流(liu)的(de)2％～3％。