充電電路的控制吸收電容充放電電路圖
下面給大家介紹一種控制吸收電容充放電的電路圖。
（a）原(yuan)理電路；
（b）實用電路控制吸收電容充放電的電路圖
來自PWM集成控制器的脈沖使其通／斷工作。為使VF2的通／斷時間與VF1相反，增設雙向延時電路S1。現假設VF1為截止狀態，VF2為導通狀態，吸收電容Cr充電到VF1的漏極－源極間電壓，由此，也吸收加在VF1上的浪涌電壓。在由延時電路確定的延時時間后VF2截止，但這時，Cr兩端電壓等于加在VF1上的電壓，因此，為零電壓和零電流開關器件斷開方式。
二次側二極管VD2的電流降為零，變壓器無勵磁能量。此時一次主繞組N1感應的回掃電壓變為零，以高于C1上電壓進行充電的吸收電容C1對一次主繞組N1反向放電，這樣，放電電流經VF2的寄生二極管（虛線所示）流通。Cr放電開始時，VF2必須截止。由于Cr放電，電容Cr與一次主繞組的電感Lp產生諧振。
若VF2為導通狀態，諧振繼續衰減振蕩，但VF2截止狀態時，電容Cr兩端電壓為零時振蕩停止。若Cr停止諧振，則以VF1和VF2的輸入較小容量電容繼續產生較短周期的諧振。VF1再度導通時，軔小電容放電電流流經VF1本身而消耗掉。VF1導通時，其小容量電容充電的電壓隨導通時間而改變，但Cr兩端電壓降到最低電壓，因此，可以減小Cr產生的損耗。也就是說，即使采用較大容量的電容Cr損耗也不會增大。
一般的(de)M0S－FET寄生二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管恢復(fu)特性不適宜高(gao)頻，因(yin)此(ci)，增設低耗(hao)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管作為(wei)電(dian)(dian)(dian)(dian)容放電(dian)(dian)(dian)(dian)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管，為(wei)使放電(dian)(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)(dian)流全部流經二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管VD1，在VF2回路中增加(jia)了逆(ni)阻斷(duan)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管VD2．逆(ni)阻斷(duan)二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管VD2的(de)耐壓大(da)(da)于(yu)(yu)VD1的(de)正(zheng)向壓降(jiang)即可，因(yin)此(ci)，選(xuan)用肖特基二(er)(er)(er)極(ji)(ji)管（SBD）。另外，雙向延時(shi)(shi)元件宜采用可飽(bao)和電(dian)(dian)(dian)(dian)抗器，延時(shi)(shi)元件和YF2的(de)輸(shu)(shu)入電(dian)(dian)(dian)(dian)容共同決(jue)定(ding)延時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)，需(xu)要(yao)較長延時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)時(shi)(shi)，可在柵極(ji)(ji)增接電(dian)(dian)(dian)(dian)容。輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)(dian)流一減小(xiao)(xiao)，VF1的(de)導通(tong)時(shi)(shi)間(jian)就變短(duan)。這導通(tong)時(shi)(shi)間(jian)若短(duan)于(yu)(yu)延時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)，則VF1截止后，VF2導通(tong)，因(yin)此(ci)，VF1漏極(ji)(ji)－源極(ji)(ji)間(jian)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓UDS的(de)波形(xing)偏離(li)正(zheng)常(chang)波形(xing)，功(gong)耗(hao)也稍增大(da)(da)。為(wei)降(jiang)低最小(xiao)(xiao)輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)(dian)流，延時(shi)(shi)時(shi)(shi)間(jian)要(yao)非常(chang)短(duan)，這樣，就不能充分有(you)效(xiao)利(li)用電(dian)(dian)(dian)(dian)容Cr。這里，作為(wei)大(da)(da)致目標，最小(xiao)(xiao)輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)(dian)流設定(ding)為(wei)最大(da)(da)輸(shu)(shu)出(chu)電(dian)(dian)(dian)(dian)流的(de)2％～3％。