一、電芯操作注，他說：想發財(cai)就去(qu)萬通商聯(lian)找(zhao)優(you)質表帶(dai)供貨商！注意(yi)事項

    由(you)于電芯(xin)屬于軟包(bao)裝(zhuang)，為(wei)保證電芯(xin)的性能不受損害，必須小心對(dui)電芯(xin)進行操作。

    1.鋁箔包裝材料

    鋁箔包裝材料易被(bei)尖銳部件刺損，諸如鎳片(pian)、尖針。

    禁止用尖銳部件碰撞電(dian)池(chi)

    應(ying)清潔(jie)工作(zuo)環境，避(bi)免有尖(jian)銳部件存(cun)在

    禁止用釘子及其它利器刺穿電池

    禁(jin)止將電池與金屬物，如項鏈(lian)、發夾等一(yi)起運(yun)輸或貯(zhu)存

    2.頂(ding)封(feng)邊

    頂(ding)封邊非常容易(yi)受到損害

    禁止(zhi)彎折頂封邊

    3.折邊

    折邊(bian)在電池生產過(guo)(guo)程中已完成，并通過(guo)(guo)了密封測試。

    禁止打開(kai)或破壞折邊(bian) 4.極耳

    極耳的機(ji)械強(qiang)度并(bing)非異(yi)常堅固，特別(bie)是鋁片。

    禁止彎(wan)折極耳

    5.機械撞擊

    禁止墜落、沖擊、彎(wan)折電(dian)芯

    禁止用錘(chui)子(zi)敲擊(ji)或踩踏電池

    禁止敲擊或拋擲(zhi)電池。

    6.短路

    任何時候禁(jin)止(zhi)短路電芯，它(ta)會導致電芯嚴重損壞(huai)

    禁止用(yong)金屬物如(ru)電(dian)線短路(lu)連接電(dian)池正負極

    二、聚合(he)物鋰(li)離子電(dian)池測試標準環(huan)境

    環(huan)境(jing)溫度： 20±5℃

    相對濕度： 45~85%

    在測試前電池(chi)都要先(xian)放(fang)完(wan)電

    三(san)、聚(ju)合物鋰離子電范充放電注(zhu)意事項

    1.充電

    充(chong)電電流及充(chong)電電壓不得超過(guo)以下標準，如超過(guo)規定(ding)值可能(neng)會(hui)對電芯的充(chong)放電性能(neng)、機(ji)械性能(neng)及安全(quan)性造(zao)成造(zao)成損壞，進可能(neng)導(dao)致(zhi)發熱(re)及泄漏。

    電池充電器必須能恒(heng)流恒(heng)壓充電；

    充電(dian)時的單體電(dian)池充電(dian)電(dian)流(liu)必須在1C5A以下；

    充電(dian)時溫度范圍在0~+45℃；

    充電時電壓不能超過(guo)4.23V。

    2.放電

    放電電流不(bu)得(de)超過以下標準，放電必須在本(ben)標準范圍內進行。

    單體電池(chi)放電電流必須(xu)小(xiao)于(yu)2C5A；

    放電(dian)時溫度范圍(wei)在-20~+60℃；

    單(dan)體電(dian)(dian)池放電(dian)(dian)終止電(dian)(dian)壓不小于2.75V。

    3.過(guo)放(fang)電

    需要注意(yi)的是，在(zai)電(dian)芯長期(qi)未使(shi)用期(qi)間，它可能會用其自放電(dian)特性而(er)處于某種(zhong)過(guo)(guo)放電(dian)狀態。為防(fang)止過(guo)(guo)放電(dian)的發生不能過(guo)(guo)放電(dian)使(shi)單體電(dian)池低于2.5V。

    4.具體應用時要(yao)求加合格保護(hu)電路板。

    四、聚(ju)合物鋰離子電池貯存

    電池長期貯存的環境為：溫度-20~+35℃

    相對濕度(du) 45~75%

    電池(chi)貯存(cun)期近(jin)一年時要用標準充(chong)電方式給電池(chi)充(chong)電10%~50%。

五、聚合物鋰離子電池運輸

    電池(chi)應在10%~50%的充電狀態(tai)下運輸。

    六、聚(ju)合(he)物(wu)鋰(li)離子電池(chi)其它使用(yong)說明(ming)

    1.為了防(fang)止(zhi)電(dian)池可能發生泄(xie)漏(lou)、發熱、爆炸(zha)，請(qing)注(zhu)意(yi)以下預(yu)防(fang)措施(shi)：

    禁止在任何情況下拆卸電芯(xin)。

    禁止將電池浸入水(shui)中或海水(shui)中，不能受(shou)潮。

    禁止在熱源旁，如(ru)火、加熱器(qi)等，使用或放置(zhi)電池。

    禁止將電池加熱或丟(diu)入火中。

    禁止直接(jie)焊接(jie)電池。

    禁止在火(huo)邊或很熱的(de)環(huan)境中充電。

 &n，他說(shuo)：想發財(cai)就去萬(wan)通商聯找優質(zhi)表帶供貨商！nbsp;  禁(jin)止將電(dian)池放(fang)入微(wei)波(bo)爐或(huo)高壓容器內。

    禁止在高溫下（如強陽(yang)光或很(hen)熱的(de)汽車(che)中）使用或放置(zhi)電(dian)池，否則會(hui)引起(qi)過熱、起(qi)火(huo)或者功能(neng)衰退、壽命減小。

    2.聚合物鋰離(li)子(zi)電(dian)(dian)池理論上不存在流動的電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)，但(dan)萬一有(you)電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)泄(xie)漏而接觸到皮(pi)膚、眼睛或身(shen)體其它部位，應立(li)即用清水沖冼電(dian)(dian)解(jie)(jie)液(ye)并就醫(yi)。

    3.禁(jin)止使(shi)用(yong)已損(sun)壞的電芯（電芯塑(su)料(liao)封邊損(sun)壞，外殼破損(sun)，聞(wen)到電解液氣體，電解液泄漏等）。

    如有電解液泄漏或散(san)發電解液氣(qi)味的電池應遠離火源以避(bi)免著火或爆炸。

    鋰電池保護電路綜述(shu)

    鋰離子電池保(bao)(bao)護電(dian)(dian)路包(bao)括過(guo)度充(chong)電(dian)(dian)保(bao)(bao)護、過(guo)電(dian)(dian)流／短路保(bao)(bao)護和過(guo)放電(dian)(dian)保(bao)(bao)護，要求過(guo)充(chong)電(dian)(dian)保(bao)(bao)護高精密度、保(bao)(bao)護IC功(gong)耗低(di)、高耐壓以及(ji)零伏可充(chong)電(dian)(dian)等特性。本(ben)文詳(xiang)細介紹了(le)這(zhe)三(san)種保(bao)(bao)護電(dian)(dian)路的原(yuan)理、新功(gong)能(neng)和特性要求。

    近年(nian)來(lai)，PDA、數字相機(ji)(ji)、手(shou)機(ji)(ji)、可攜式音(yin)訊(xun)設備(bei)和(he)(he)藍芽設備(bei)等(deng)越來(lai)越多(duo)的產品采用鋰(li)(li)電(dian)(dian)池(chi)作(zuo)為主(zhu)要電(dian)(dian)源。鋰(li)(li)電(dian)(dian)池(chi)具有體積小、能量密度高(gao)(gao)、無記憶效(xiao)應、循環壽命高(gao)(gao)、高(gao)(gao)電(dian)(dian)壓(ya)電(dian)(dian)池(chi)和(he)(he)自(zi)放(fang)電(dian)(dian)率(lv)低(di)等(deng)優點，與鎳鎘(ge)、鎳氫電(dian)(dian)池(chi)不太一樣(yang)，鋰(li)(li)電(dian)(dian)池(chi)必須考慮充電(dian)(dian)、放(fang)電(dian)(dian)時的安(an)全性(xing)(xing)，以防止特性(xing)(xing)劣化。針對鋰(li)(li)電(dian)(dian)池(chi)的過(guo)充、過(guo)度放(fang)電(dian)(dian)、過(guo)電(dian)(dian)流及短路保護很重(zhong)要，所(suo)以通常都會在電(dian)(dian)池(chi)包內設計保護線(xian)路用以保護鋰(li)(li)電(dian)(dian)池(chi)。

    由于(yu)鋰離子電(dian)(dian)(dian)池能量密度(du)(du)高，因此難以確保(bao)電(dian)(dian)(dian)池的安全(quan)性(xing)。在過(guo)度(du)(du)充(chong)電(dian)(dian)(dian)狀態下(xia)，電(dian)(dian)(dian)池溫(wen)度(du)(du)上(shang)升(sheng)后(hou)能量將過(guo)剩，于(yu)是電(dian)(dian)(dian)解(jie)液(ye)分解(jie)而產(chan)(chan)生(sheng)氣(qi)體，因內壓上(shang)升(sheng)而產(chan)(chan)生(sheng)自(zi)燃或破裂的危險；反(fan)之，在過(guo)度(du)(du)放電(dian)(dian)(dian)狀態下(xia)，電(dian)(dian)(dian)解(jie)液(ye)因分解(jie)導致電(dian)(dian)(dian)池特性(xing)及(ji)耐久(jiu)性(xing)劣化，因而降低可充(chong)電(dian)(dian)(dian)次數。

    鋰離(li)子(zi)電(dian)池(chi)(chi)的(de)保(bao)(bao)(bao)(bao)護電(dian)路就是(shi)要確保(bao)(bao)(bao)(bao)這樣(yang)的(de)過(guo)(guo)度充(chong)電(dian)及放電(dian)狀態時的(de)安全性，并防(fang)止特性劣化(hua)。鋰離(li)子(zi)電(dian)池(chi)(chi)的(de)保(bao)(bao)(bao)(bao)護電(dian)路是(shi)由保(bao)(bao)(bao)(bao)護IC及兩顆(ke)功(gong)(gong)率(lv)MOSFET所(suo)構成，其中保(bao)(bao)(bao)(bao)護IC監視(shi)電(dian)池(chi)(chi)電(dian)壓，當有(you)過(guo)(guo)度充(chong)電(dian)及放電(dian)狀態時切換到以外掛的(de)功(gong)(gong)率(lv)MOSFET來保(bao)(bao)(bao)(bao)護電(dian)池(chi)(chi)，保(bao)(bao)(bao)(bao)護IC的(de)功(gong)(gong)能(neng)有(you)過(guo)(guo)度充(chong)電(dian)保(bao)(bao)(bao)(bao)護、過(guo)(guo)度放電(dian)保(bao)(bao)(bao)(bao)護和(he)過(guo)(guo)電(dian)流(liu)／短(duan)路保(bao)(bao)(bao)(bao)護。

    一、過度充電保護(hu)

    過度充電(dian)(dian)保(bao)護IC的原理(li)為(wei)：當外部(bu)充電(dian)(dian)器對鋰(li)電(dian)(dian)池充電(dian)(dian)時(shi)，為(wei)防(fang)止因溫(wen)度上(shang)升所導致的內壓上(shang)升，需終止充電(dian)(dian)狀(zhuang)態。此時(shi)，保(bao)護IC需檢測電(dian)(dian)池電(dian)(dian)壓，當到達4.25V時(shi)（假設電(dian)(dian)池過充點為(wei)4.25V）即激活(huo)過度充電(dian)(dian)保(bao)護，將功率(lv)MOSFET由(you)開轉為(wei)切(qie)斷，進而截(jie)止充電(dian)(dian)。

    另(ling)外，還必須注意因(yin)噪音所產生的過度充電檢出誤動作，以免判定為過充保護(hu)。因(yin)此(ci)，需要(yao)設定延(yan)遲時間，并且延(yan)遲時間不(bu)能短于噪音的持續時間。

    二、過(guo)度放電保護

    在過度放電(dian)的(de)情況(kuang)下，電(dian)解液因分解而導致電(dian)池(chi)(chi)特性(xing)劣化，并造成充電(dian)次數的(de)降低(di)。采用鋰電(dian)池(chi)(chi)保護IC可以避(bi)免過度放電(dian)現象(xiang)產(chan)生，實現電(dian)池(chi)(chi)保護功能(neng)。

    過(guo)度放(fang)(fang)電(dian)(dian)保(bao)護IC原理：為(wei)了防止鋰(li)電(dian)(dian)池(chi)的過(guo)度放(fang)(fang)電(dian)(dian)狀態(tai)，假(jia)(jia)設鋰(li)電(dian)(dian)池(chi)接(jie)上負載，當(dang)鋰(li)電(dian)(dian)池(chi)電(dian)(dian)壓低于其過(guo)度放(fang)(fang)電(dian)(dian)電(dian)(dian)壓檢(jian)測點（假(jia)(jia)定為(wei)2.3V）時將激活過(guo)度放(fang)(fang)電(dian)(dian)保(bao)護，使功率(lv)MOSFET由開(kai)轉變為(wei)切(qie)斷而截止放(fang)(fang)電(dian)(dian)，以避免電(dian)(dian)池(chi)過(guo)度放(fang)(fang)電(dian)(dian)現象(xiang)產生，并將電(dian)(dian)池(chi)保(bao)持在(zai)低靜態(tai)電(dian)(dian)流的待機(ji)模(mo)式，此時的電(dian)(dian)流僅0.1μA。

    當(dang)鋰(li)(li)電(dian)池接上充電(dian)器，且此時鋰(li)(li)電(dian)池電(dian)壓高于過(guo)度(du)放(fang)(fang)電(dian)電(dian)壓時，過(guo)度(du)放(fang)(fang)電(dian)保護功能方可解除(chu)。另外，考慮到脈沖放(fang)(fang)電(dian)的情況，過(guo)放(fang)(fang)電(dian)檢測電(dian)路設有延遲時間以避免產生誤動作。

    三、過電流及(ji)短路電流

    因為不明原(yuan)因（放電(dian)時或正負極遭金(jin)屬物誤觸）造成過電(dian)流或短(duan)路，為確保安(an)全，必須使其(qi)立(li)即停(ting)止放電(dian)。

    過(guo)電(dian)(dian)(dian)流(liu)保(bao)(bao)護(hu)IC原理為，當放電(dian)(dian)(dian)電(dian)(dian)(dian)流(liu)過(guo)大或短(duan)路(lu)情況(kuang)產生時(shi)，保(bao)(bao)護(hu)IC將(jiang)激活(huo)過(guo)（短(duan)路(lu)）電(dian)(dian)(dian)流(liu)保(bao)(bao)護(hu)，此時(shi)過(guo)電(dian)(dian)(dian)流(liu)的(de)檢(jian)(jian)測(ce)是將(jiang)功率MOSFET的(de)Rds(on) 當成感應(ying)阻抗用以(yi)監(jian)測(ce)其電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)的(de)下降(jiang)情形，如果比所(suo)定(ding)的(de)過(guo)電(dian)(dian)(dian)流(liu)檢(jian)(jian)測(ce)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)還(huan)高(gao)則停止放電(dian)(dian)(dian)，運(yun)算公式為:

    V- = I × Rds(on) × 2（V- 為(wei)過電(dian)流(liu)檢測電(dian)壓，I 為(wei)放(fang)電(dian)電(dian)流(liu)）

    假設 V- = 0.2V，Rds(on) = 25mΩ，則保(bao)護電流的大(da)小為 I = 4A

    同樣地，過電(dian)流檢測也必須(xu)設(she)有延遲時間(jian)以防有突發電(dian)流流入時產生誤動作(zuo)。

    通(tong)常在過電流產生后，若(ruo)能去除過電流因素（例如馬上與負載脫離），將會恢復其正(zheng)常狀(zhuang)態，可以再進行正(zheng)常的充(chong)放電動(dong)作。

    四、鋰(li)電池保護IC的新(xin)功能

    除了上述的鋰電池保護IC功能(neng)之外，下面這些新的功能(neng)同樣值得關注(zhu)：

    1.充(chong)電時的過電流保護

    當(dang)連接(jie)充電(dian)器(qi)進行充電(dian)時突然產生過(guo)電(dian)流（如充電(dian)器(qi)損壞），電(dian)路立(li)即進行過(guo)電(dian)流檢測，此時Cout將由高轉(zhuan)為低，功(gong)率MOSFET由開轉(zhuan)為切斷(duan)，實現保護功(gong)能(neng)。

    V- = I × Rds(on) × 2

    （I 是充電電流；Vdet4，過(guo)電流檢測電壓，Vdet4 為(wei) -0.1V）

    2.過度充(chong)電(dian)時的鎖(suo)定模式

    通常保(bao)(bao)護IC在過度充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)保(bao)(bao)護時(shi)將(jiang)(jiang)(jiang)經過一段延遲時(shi)間(jian)，然(ran)后就會將(jiang)(jiang)(jiang)功率MOSFET切斷以達到保(bao)(bao)護的(de)(de)目的(de)(de)，當鋰(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)池電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)一直(zhi)下降到解除點(dian)（過度充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)滯后電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)）時(shi)就會恢(hui)復(fu)，此(ci)時(shi)又(you)會繼續充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)→保(bao)(bao)護→放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)→充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)→放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)。這(zhe)種狀態(tai)的(de)(de)安(an)全(quan)性問題將(jiang)(jiang)(jiang)無(wu)法獲(huo)得(de)有(you)效解決(jue)，鋰(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)池將(jiang)(jiang)(jiang)一直(zhi)重復(fu)著充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)→放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)→充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)→放(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)(dian)的(de)(de)動作，功率MOSFET的(de)(de)柵極將(jiang)(jiang)(jiang)反(fan)復(fu)地處于高(gao)低電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)交替狀態(tai)，這(zhe)樣可能會使MOSFET變(bian)熱(re)(re)，還(huan)會降低電(dian)(dian)(dian)(dian)池壽(shou)命，因此(ci)鎖(suo)(suo)定(ding)模式(shi)很重要。假如鋰(li)電(dian)(dian)(dian)(dian)保(bao)(bao)護電(dian)(dian)(dian)(dian)路(lu)在檢測(ce)到過度充(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)保(bao)(bao)護時(shi)有(you)鎖(suo)(suo)定(ding)模式(shi)，MOSFET將(jiang)(jiang)(jiang)不會變(bian)熱(re)(re)，且安(an)全(quan)性相(xiang)對提高(gao)很多。

    在過(guo)度充(chong)電(dian)(dian)(dian)保(bao)護(hu)之后，只要充(chong)電(dian)(dian)(dian)器連接在電(dian)(dian)(dian)池(chi)包上(shang)，此時將進入過(guo)充(chong)鎖定模(mo)式。此時，即(ji)使(shi)鋰電(dian)(dian)(dian)池(chi)電(dian)(dian)(dian)壓下降也不會(hui)產(chan)生再充(chong)電(dian)(dian)(dian)的情形，將充(chong)電(dian)(dian)(dian)器移除并連接負載即(ji)可恢復充(chong)放電(dian)(dian)(dian)的狀態。

    3.減少(shao)保護電路組件(jian)尺寸

    將過度充電(dian)和(he)短路(lu)保(bao)護(hu)(hu)(hu)用的(de)延遲電(dian)容器整合在到保(bao)護(hu)(hu)(hu)IC里(li)面，以減(jian)少保(bao)護(hu)(hu)(hu)電(dian)路(lu)組(zu)件(jian)尺(chi)寸。

五、對保護IC性(xing)(xing)，他說：想發財就去萬通(tong)商聯(lian)找優質(zhi)鉸鏈供貨商！性(xing)(xing)能的要求

    1.過度(du)(du)充電保(bao)護的高(gao)精密(mi)度(du)(du)化

    當鋰離子電(dian)池(chi)(chi)有(you)過(guo)(guo)度(du)(du)充(chong)(chong)電(dian)狀態(tai)時(shi)，為(wei)防止(zhi)因溫度(du)(du)上升(sheng)所導致的(de)內壓(ya)上升(sheng)，須截止(zhi)充(chong)(chong)電(dian)狀態(tai)。保護IC將檢測(ce)(ce)(ce)電(dian)池(chi)(chi)電(dian)壓(ya)，當檢測(ce)(ce)(ce)到(dao)過(guo)(guo)度(du)(du)充(chong)(chong)電(dian)時(shi)，則過(guo)(guo)度(du)(du)充(chong)(chong)電(dian)檢測(ce)(ce)(ce)的(de)功率MOSFET使(shi)之切斷而(er)截止(zhi)充(chong)(chong)電(dian)。此(ci)時(shi)應注(zhu)意的(de)是過(guo)(guo)度(du)(du)充(chong)(chong)電(dian)的(de)檢測(ce)(ce)(ce)電(dian)壓(ya)的(de)高精(jing)(jing)密(mi)度(du)(du)化，在電(dian)池(chi)(chi)充(chong)(chong)電(dian)時(shi)，使(shi)電(dian)池(chi)(chi)充(chong)(chong)電(dian)到(dao)飽滿的(de)狀態(tai)是使(shi)用者很關心的(de)問題(ti)，同(tong)時(shi)兼顧到(dao)安全(quan)性問題(ti)，因此(ci)需要在達到(dao)容(rong)許電(dian)壓(ya)時(shi)截止(zhi)充(chong)(chong)電(dian)狀態(tai)。要同(tong)時(shi)符(fu)合(he)這兩個條件，必(bi)須有(you)高精(jing)(jing)密(mi)度(du)(du)的(de)檢測(ce)(ce)(ce)器(qi)，目(mu)前(qian)檢測(ce)(ce)(ce)器(qi)的(de)精(jing)(jing)密(mi)度(du)(du)為(wei)25mV，該精(jing)(jing)密(mi)度(du)(du)將有(you)待于進一(yi)步(bu)提高。

    2.降低保護IC的耗(hao)電

    隨著使(shi)用時間(jian)的(de)增加(jia)，已充(chong)過(guo)(guo)電(dian)(dian)(dian)的(de)鋰離子電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)會逐漸(jian)降低，最后低到(dao)規(gui)格標準值以(yi)下，此時就需(xu)要再度充(chong)電(dian)(dian)(dian)。若未充(chong)電(dian)(dian)(dian)而(er)繼(ji)續使(shi)用，可能(neng)造成由于過(guo)(guo)度放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)而(er)使(shi)電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)不能(neng)繼(ji)續使(shi)用。為(wei)防止(zhi)過(guo)(guo)度放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)，保(bao)(bao)(bao)護IC必須(xu)檢測電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)，一旦達到(dao)過(guo)(guo)度放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)檢測電(dian)(dian)(dian)壓(ya)以(yi)下，就得使(shi)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)一方的(de)功(gong)率MOSFET切(qie)斷(duan)而(er)截止(zhi)放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)。但此時電(dian)(dian)(dian)池(chi)(chi)本身仍有自然放(fang)(fang)(fang)(fang)電(dian)(dian)(dian)及保(bao)(bao)(bao)護IC的(de)消耗電(dian)(dian)(dian)流存在，因此需(xu)要使(shi)保(bao)(bao)(bao)護IC消耗的(de)電(dian)(dian)(dian)流降到(dao)最低程度。

    3.過電流(liu)／短路(lu)保護需有低檢測(ce)電壓及高精密度的要求

    因不明原因導致短路時(shi)(shi)必(bi)須(xu)立(li)即停止(zhi)放(fang)電(dian)。過電(dian)流(liu)的(de)(de)檢(jian)測是以功(gong)率MOSFET的(de)(de)Rds(on)為(wei)感應阻抗，以監視其電(dian)壓(ya)(ya)的(de)(de)下降(jiang)，此(ci)時(shi)(shi)的(de)(de)電(dian)壓(ya)(ya)若比過電(dian)流(liu)檢(jian)測電(dian)壓(ya)(ya)還(huan)高時(shi)(shi)即停止(zhi)放(fang)電(dian)。為(wei)了(le)使(shi)功(gong)率MOSFET的(de)(de)Rds(on)在(zai)充電(dian)電(dian)流(liu)與放(fang)電(dian)電(dian)流(liu)時(shi)(shi)有(you)效應用，需(xu)使(shi)該阻抗值盡量(liang)低，目前(qian)該阻抗約為(wei)20mΩ~30mΩ，這樣過電(dian)流(liu)檢(jian)測電(dian)壓(ya)(ya)就可較低。

    4.耐高電(dian)壓

    電(dian)池(chi)包與充電(dian)器連接時瞬(shun)間會(hui)有高壓(ya)產(chan)生，因此(ci)保護IC應滿足耐高壓(ya)的要求。

    5.低電池功耗

    在保護狀態時(shi)，其靜態耗電(dian)流必須要(yao)小0.1μA。

    6.零伏(fu)可充電

    有些電(dian)池在存放的過程中可能(neng)因(yin)為放太(tai)久或不正(zheng)常的原因(yin)導(dao)致電(dian)壓低到0V，故保護(hu)IC需(xu)要(yao)在0V時(shi)也可以(yi)實(shi)現(xian)充電(dian)。

    六(liu)、保護IC發展展望

    如前所述，未來保(bao)護(hu)IC將進一(yi)步提高檢測電(dian)壓的(de)(de)精(jing)密度、降低(di)保(bao)護(hu)IC的(de)(de)耗(hao)電(dian)流和提高誤(wu)動作防止(zhi)功能等，同時充電(dian)器連接端子(zi)的(de)(de)高耐壓也是研發的(de)(de)重點(dian)。 在(zai)封(feng)裝(zhuang)方面(mian)，目前已由SOT23-6逐漸(jian)轉向SON6封(feng)裝(zhuang)，將來還(huan)有CSP封(feng)裝(zhuang)，甚至出(chu)現(xian)COB產品(pin)用以滿足現(xian)在(zai)所強調的(de)(de)輕(qing)薄短(duan)小要(yao)求(qiu)。

    在(zai)功(gong)能方面，保(bao)(bao)護(hu)(hu)IC不(bu)需(xu)要整(zheng)合(he)所有的(de)功(gong)能，可(ke)根據不(bu)同的(de)鋰電池材料開發(fa)出單一保(bao)(bao)護(hu)(hu)IC，如只有過充(chong)保(bao)(bao)護(hu)(hu)或過放保(bao)(bao)護(hu)(hu)功(gong)能，這樣(yang)可(ke)以大幅減少成本及尺寸。

    當然，功(gong)能組件單(dan)晶(jing)體化是不(bu)變的(de)目標，如(ru)目前手機制造(zao)商都朝(chao)向將保護(hu)IC、充電電路以(yi)(yi)及電源管理IC等周邊電路與邏輯IC構成雙芯片的(de)芯片組，但目前要(yao)使功(gong)率MOSFET的(de)開路阻抗降低，難以(yi)(yi)與其它IC整合，即使以(yi)(yi)特殊技術制成單(dan)芯片，恐怕成本(ben)將會過(guo)高。因此，保護(hu)IC的(de)單(dan)晶(jing)體化將需一段時間來(lai)解決(jue)。